ZnO量子點的制備及其光催化性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、采用液相合成法制備ZnO量子點,利用XRD、HRTEM、XPS、PL等手段對其結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光等方面進行表征,考察ZnO量子點在光催化處理染料廢水的效果,探究原料配比、不同染料廢水、煅燒溫度等因素對ZnO量子點光催化性能的影響。以聚乙二醇(PEG2000)、甲基丙酰胺(MAC)、硫脲(THU)對ZnO量子點進行表面修飾,結(jié)合表征和光催化實驗研究表面修飾對ZnO量子點光催化性能的影響。采用Co、Cu、S、Cd四種元素對PEG修飾的ZnO量子

2、點摻雜,結(jié)合表征和光催化實驗考察不同元素摻雜對ZnO量子點光催化性能的影響。得到的主要結(jié)論如下:
  (1)制備的ZnO量子點具有良好的的光催化活性。原料配比(mol(Zn(C4H6O4))/mol(LiOH)為1∶5時,制備的ZnO量子點光催化性能最強。0.1g該ZnO量子點粉末40min對50mL0.1g/L的活性黃X-R染料廢水色度的去除率達到了89.80%,COD去除率為63.32%。ZnO量子點表面活性較強,容易發(fā)生團聚

3、現(xiàn)象,高溫煅燒處理可以減少其團聚現(xiàn)象,但不能明顯提升其光催化性能。ZnO量子點對不同染料廢水的光催化去除和吸附去除效果存在較大差異,染料分子中顯色基團數(shù)目和位置,決定了染料去除的難易程度。
  (2) PEG2000、MAC和THU表面修飾ZnO量子點時,并未改變ZnO量子點的晶體構(gòu)型和結(jié)構(gòu),只是對其表面缺陷進行一定程度改善,使其團聚現(xiàn)象減少。表面修飾劑添加量增大時,PEG2000表面修飾制備的ZnO量子點的粒徑減小,MAC和TH

4、U表面修飾的ZnO量子點的粒徑都是先減小后增大。其中PEG表面修飾的ZnO量子點光催化性能提升最為顯著,最佳質(zhì)量百分比添加量為6%。0.1g該ZnO量子點粉末40min對50mL0.1 g/L的活性黃X-R染料廢水色度的去除率達到了99.21%,COD去除率為70.26%。
  (3)采用Co、Cu、S、Cd四種元素分別摻雜6%PEG修飾后的ZnO量子點,都使得ZnO量子點粒徑呈現(xiàn)不同程度的減小,團聚現(xiàn)象減少,但未改變ZnO量子點

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