簡(jiǎn)介：在眾多的石油、天然氣輸送方式中管道輸送方式被認(rèn)為最合理和最經(jīng)濟(jì)的方式是。近年來(lái)隨著油氣田的開采向邊遠(yuǎn)的荒漠、極地凍土帶和海洋等區(qū)域發(fā)展在油氣輸送管線的建設(shè)中對(duì)管道的各方面性能的要求不斷提高在地質(zhì)條件復(fù)雜的地區(qū)如不連續(xù)凍土層、地震帶、采空區(qū)服役的管線常常要承受超過彈性極限的塑性變形因此發(fā)展了基于應(yīng)變的管線設(shè)計(jì)方法這對(duì)油氣輸送管道的應(yīng)變性能提出了很高的要求。本文主要從兩個(gè)方面對(duì)基于應(yīng)變?cè)O(shè)計(jì)高鋼級(jí)管線鋼管的應(yīng)變性能進(jìn)行研究一個(gè)方面是鋼管母材的性能研究另一個(gè)方面是鋼管發(fā)生變形引起結(jié)構(gòu)失效時(shí)的應(yīng)變?nèi)萘考垂芫€鋼管在位移控制載荷下發(fā)生彎曲變形并出現(xiàn)屈曲時(shí)的臨界壓縮應(yīng)變研究。由于管線鋼管在服役過程中具有復(fù)雜的載荷條件小試樣試驗(yàn)的結(jié)果不足以提供可信服的服役條件下的變形行為預(yù)測(cè)所以全尺寸實(shí)物試驗(yàn)是本次研究中使用的主要手段與此同時(shí)逆向工程技術(shù)和有限元計(jì)算分析相結(jié)合的數(shù)值模擬試驗(yàn)也在本次研究中被采用它很好的彌補(bǔ)了實(shí)物試驗(yàn)高成本和試驗(yàn)周期過長(zhǎng)的不足。通過研究發(fā)現(xiàn)影響鋼管的應(yīng)變性能的因素包括鋼管母材縱向的屈強(qiáng)比、均勻延伸率、應(yīng)力應(yīng)變曲線形狀、鋼管本身的結(jié)構(gòu)、鋼管存在的幾何外形缺陷等。綜上所述本研究對(duì)基于應(yīng)變?cè)O(shè)計(jì)條件下高鋼級(jí)管線鋼管應(yīng)變性能評(píng)價(jià)具有參考價(jià)值同時(shí)對(duì)鋼管生產(chǎn)有指導(dǎo)意義。

簡(jiǎn)介：點(diǎn)擊查看更多基于環(huán)量分布的高比轉(zhuǎn)速混流泵的設(shè)計(jì)、數(shù)值模擬及試驗(yàn)研究.pdf精彩內(nèi)容。

簡(jiǎn)介：流化床反應(yīng)器是化工冶金工業(yè)中一種重要的反應(yīng)器，是生產(chǎn)環(huán)節(jié)中非常重要的設(shè)備。隨著化工和冶金技術(shù)要求的不斷提升，開發(fā)基于流化床反應(yīng)器的自動(dòng)控制系統(tǒng)對(duì)反應(yīng)過程的效率和操作性能都有很大提高。本文在課題組對(duì)高硫鋁土礦焙燒預(yù)處理方面的前期研究基礎(chǔ)上，針對(duì)流化床反應(yīng)器的運(yùn)行方式和要求，基于自動(dòng)控制原理和控制方法，結(jié)合實(shí)驗(yàn)室流化床焙燒高硫鋁土礦過程的工藝參數(shù)，開發(fā)和設(shè)計(jì)了流化床焙燒控制系統(tǒng)。主要內(nèi)容如下1根據(jù)焙燒過程的特點(diǎn)和控制要求，提出以PCI1711型多功能PCI總線數(shù)據(jù)采集卡為控制核心的流化床焙燒過程計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)框架結(jié)構(gòu)，并對(duì)其功能元件進(jìn)行選型，實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度、流體流量、壓差、煙氣的檢測(cè)與控制。2在上述工作基礎(chǔ)上，利用VISUALBASIC60編程工具和DEVICEMANAGER、32BITDLL等驅(qū)動(dòng)軟件，開發(fā)了流化床焙燒過程計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)的軟件，實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度、氣體流量、壓差和焙燒煙氣成分的等實(shí)驗(yàn)參數(shù)的檢測(cè)和控制以及實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的采集、存儲(chǔ)、顯示、打印和輸出等功能。

簡(jiǎn)介：LED由于具節(jié)能，環(huán)保，長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛的應(yīng)用和研究。在LED照明的應(yīng)用中，對(duì)人們的生產(chǎn)、生活影響最密切的當(dāng)數(shù)以LED路燈為代表的大功率LED照明應(yīng)用。另外，LED路燈多采用交流市電供電，為了防止電網(wǎng)“諧波污染”要求LED驅(qū)動(dòng)電路具有高的功率因數(shù)。本文先闡述LED驅(qū)動(dòng)電路和功率因數(shù)校正技術(shù)的基本原理。在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一種基于BOOST變換器的連續(xù)電流模式，平均電流有源功率因數(shù)校正電路，其既可以用作大功率LED驅(qū)動(dòng)電路的PFC級(jí)也可以結(jié)合FLYBACK拓?fù)湓O(shè)計(jì)出單級(jí)的LED驅(qū)動(dòng)電路。電路的輸入交流范圍為90V264V，開關(guān)頻率100KHZ，輸出功率100W，輸出直流電壓為400V，輸出電壓紋波峰峰值為12V。效率大于90％，PF值大于095，達(dá)到了設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求。本文在與某公司的項(xiàng)目合作的基礎(chǔ)上，基于CSMC05ΜM25VBCD工藝，設(shè)計(jì)了一種適合于連續(xù)電流模式的，采用一種獨(dú)特的調(diào)制模式的平均電流有源功率因數(shù)校正控制芯片。根據(jù)整體電路的功能要求完成了基準(zhǔn)電壓內(nèi)部電源模塊、電流基準(zhǔn)模塊、調(diào)制電壓模塊、欠壓鎖定子模塊的設(shè)計(jì)和仿真。最后，對(duì)整體電路的功能和典型性能參數(shù)進(jìn)行了仿真驗(yàn)證和分析。

簡(jiǎn)介：分類號(hào)UDCY93A702密級(jí)鳊號(hào)高特征溫度大功率應(yīng)變量子阱半導(dǎo)體激光器設(shè)計(jì)研究THEDESIGNOFHIGILCHARACTEFISTICTEMPERATUREANDHIGHPOWERSTR8INEDQUANTUMWELLSEMICONDUCTORLASERS學(xué)位授予單位及代碼益盎墨三盤空IQ逝專業(yè)名稱及代碼熊皇I堂當(dāng)固堡壘I鱟塑鯉鰱研究方向高壁生圭墨生邀垂墨申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別題指導(dǎo)教師焦盤墨蒸蕉答辯委員會(huì)主席里孟壘墊握研究生至盤論文評(píng)聞人ABSTRACTTHEMAINDIRECTIONOFLASERS’DEVELOPMENTISTHEHIGHPOWERSEMICONDUCTORLASEFSINTHECOLLRSEOFI畫ECTIONCURRENTTOT11ESEMICONDUCTORLASERSACTIVELAYCRWHICH、VILLPRODUCES繃0TLLITOFHEATTHE口ROBIEMOFDISSIPATEHEATISANIMPONANTFACTORWH；CHCONFINESTHEDEVEIOPMENTOFHIGHDOWERSEMICONDUCTORLASELWITH出EINCREASCOFTHEPOWERTLLATTHEHIGH_POWERSEMICONDUCTORLASERSWLICHCONFBMTOTLLEMAINPROBLEMJSTHESENSITIVITYTOTEMPERATURE，“ISTHECHARACTERISTICTEMPEMTURETB，THETHESISTHATTHEDESIGNOFHIGHCHARACTERISTICTEMPERAMREANDHI曲DOWERSTRAINEDQUANTUMWELLSEMICONDUCTORLASERSSETOUTF如MTHEQUAM啪W(wǎng)ELLSEMICONDUCTORSTRUCTURE，WHICHAILALYSETLLEE虢CTFACTORTOT0INTHEPHVSICALABSTRACTANDPANSOFF矗BRICTHEDESIGNANDF萏BRICATIONOFALINGAAS／ALGAAS／GAASSQUEEZEDSTRAINEDQUANT啪、VELLSEMICONDUCTORLASERSAREDEVELOPEDIN也ISPAPERFORSETNINGNLEPMBLEMTHEHIG|1ESTOPERATIONTEMPERATUREIS60℃，血ATTHEOUTPUTPOWERISOVERLWINMOMTEMPERATURE，THELOWESTMRESHOLDCURFENTIS029A，“HASPMELYREDUCETLLEL踮ERSSE璐ITIVITYTOTEMPERATURCKEYWORDSCHARACTERISTICTEMPERATUI’E，SQUEEZEDSTI強(qiáng)INEDQUANTUMWDLLASERGRLNSTRUCTURE

簡(jiǎn)介：大采高綜采面支架工作阻力的確定仍處于探索階段，缺少成熟通用的計(jì)算公式。小保當(dāng)煤礦的開采存在支架工作阻力確定的問題。研究小保當(dāng)煤礦大采高綜采面支架工作阻力具有重要的理論意義及實(shí)際價(jià)值。論文結(jié)合小保當(dāng)煤礦開采條件，通過物理相似模擬、數(shù)值模擬實(shí)驗(yàn)對(duì)75M、50M大采高綜采面支架受力情況進(jìn)行分析，同時(shí)運(yùn)用動(dòng)載荷法及“砌體梁”理論法對(duì)其工作阻力進(jìn)行計(jì)算，確定出小保當(dāng)煤礦75M、50M大采高綜采面支架合理工作阻力分別為22000KN、13500KN；物理相似模擬實(shí)驗(yàn)過程中工作面出現(xiàn)了“懸臂梁”結(jié)構(gòu)，依此建立小保當(dāng)“大采高懸臂梁”結(jié)構(gòu)模型，給出了相應(yīng)的支架工作阻力計(jì)算公式，利用該公式計(jì)算出75M、50M大采高支架工作阻力分別為239289KN、146136KN，其結(jié)果與相似模擬、數(shù)值模擬、動(dòng)載荷法及“砌體梁”理論法計(jì)算綜合得出的工作阻力基本一致；通過分析一般采高條件下支架載荷經(jīng)驗(yàn)估算法，對(duì)小保當(dāng)大采高支架載荷經(jīng)驗(yàn)估算相關(guān)參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，推導(dǎo)出大采高綜采面支架載荷相當(dāng)于采高的12～17倍巖柱的重量（定義為大采高經(jīng)驗(yàn)公式）。相似模擬、數(shù)值模擬、動(dòng)載荷法及“砌體梁”理論法計(jì)算綜合確定的75M、50M大采高綜采面支架工作阻力分別為采高的1397、1404倍巖柱重量，大采高經(jīng)驗(yàn)公式取值范圍與該結(jié)果一致，大采高經(jīng)驗(yàn)公式可作為小保當(dāng)煤礦22煤不同大采高綜采面工作阻力確定的參考；采用“大采高懸臂梁”結(jié)構(gòu)工作阻力計(jì)算公式及修正后的大采高經(jīng)驗(yàn)公式并結(jié)合數(shù)值模擬計(jì)算結(jié)果，最終確定出小保當(dāng)煤礦70M、65M、60M、55M大采高綜采面支架合理工作阻力分別為19000KN、17500KN、17000KN、16500KN。論文研究結(jié)果為小保當(dāng)煤礦大采高綜采面的支架選型提供了依據(jù)。

簡(jiǎn)介：隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，工藝特征尺寸不斷縮小，芯片逐漸進(jìn)入納米階段，靜態(tài)功耗在總功耗中的比例迅速增加。同時(shí)工作電壓的降低，隨機(jī)摻雜導(dǎo)致的閾值電壓變化增大，給SRAMSTATICROMACCESSMEMY的讀寫穩(wěn)定性也帶來(lái)了挑戰(zhàn)。本文即針對(duì)130NM工藝下存儲(chǔ)器的讀穩(wěn)定性和靜態(tài)功耗問題進(jìn)行了分析和設(shè)計(jì)。本文首先對(duì)靜態(tài)低功耗技術(shù)和穩(wěn)定性技術(shù)做了介紹，然后對(duì)9管存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)、原理和性能做了深入的研究，由理論分析及仿真對(duì)其尺寸進(jìn)行了優(yōu)化和確定。并通過與傳統(tǒng)的6管單元在相關(guān)性能上的比較闡述了其在靜態(tài)功耗和讀穩(wěn)定性上的優(yōu)點(diǎn)，得到了9管單元的噪聲容限比傳統(tǒng)6管單元提高了1倍左右，靜態(tài)功耗降低了20％左右的結(jié)論。接下來(lái)介紹了SRAM存儲(chǔ)器的整體設(shè)計(jì)思路及其工作原理，確定了所需外圍電路的種類并對(duì)SRAM存儲(chǔ)器整體結(jié)構(gòu)做了相應(yīng)規(guī)劃。本文以9管存儲(chǔ)單元為核心設(shè)計(jì)了一個(gè)8K容量的SRAM。具體結(jié)構(gòu)包括存儲(chǔ)單元陣列；地址譯碼電路；靈敏放大電路；位線充電電路和行、列選擇電路等。主要對(duì)譯碼電路，靈敏放大電路進(jìn)行了結(jié)構(gòu)及低功耗設(shè)計(jì)。同時(shí)針對(duì)9管存儲(chǔ)單元特殊的讀寫時(shí)序控制要求設(shè)計(jì)了行選擇器。本文設(shè)計(jì)的以9管存儲(chǔ)單元為核心的8KSRAM的靜態(tài)功耗，比以6管單元為核心的存儲(chǔ)器的靜態(tài)功耗降低了15左右；工作頻率為100MHZ，讀取時(shí)間約13NS。而對(duì)靈敏放大器、譯碼電路以及預(yù)充電路的低功耗設(shè)計(jì)也起到了降低總功耗的作用。

簡(jiǎn)介：點(diǎn)擊查看更多高可用性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf精彩內(nèi)容。

簡(jiǎn)介：高硫水煤氣凈化工藝水洗_脫硫工段的設(shè)計(jì)DESIGNFORWATERSCRUBBINGDESULFURIZATIONSECTIONSINHIGHSULFURWATERGASPURIFICATIONPROCESS2011年4月，“，I一乳一O一獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究JI作及取得的研究成果。據(jù)我所知，除了文中特別加以標(biāo)志和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得金妲三些叁堂或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使剛過的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說(shuō)明并表示謝意。學(xué)位論文作者簽字移蠆幣‰字日期A舊LF年中月巧日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解金艘￡些叁堂有關(guān)保留、使鬮學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱或借閱。本人授權(quán)金月巴工些太蘭L可以將學(xué)位論文的全部或部分論文內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)JL；’“一學(xué)粼移秀，簽字日期瀘“年牛月船日學(xué)位論文作者畢業(yè)后去向工作單位通訊地址簽字日期少T／年和岳2電話郵編

簡(jiǎn)介：隨著無(wú)線通信技術(shù)的飛速發(fā)展，無(wú)線電臺(tái)的短波波段已經(jīng)越來(lái)越擁擠，相互之間的干擾也變得越來(lái)越嚴(yán)重。同時(shí)無(wú)線信號(hào)在傳輸過程中會(huì)受到瑞利衰弱的限制，從而嚴(yán)重影響了信號(hào)的接收質(zhì)量，在這種情況下，傳統(tǒng)的模擬短波接收機(jī)已經(jīng)很難滿足使用需求。所以，在現(xiàn)有信道的前提下，如何接收到高質(zhì)量的短波信號(hào)就成為一個(gè)非?，F(xiàn)實(shí)的問題。因此接收機(jī)的數(shù)字化實(shí)現(xiàn)就成為無(wú)線通信領(lǐng)域研究的焦點(diǎn)。本論文的工作如下1描述了本課題的背景和意義。在第一章中，主要對(duì)本課題中會(huì)使用到的基本原理進(jìn)行了簡(jiǎn)要的敘述，介紹了本論文的組織架構(gòu)。本課題的基本設(shè)計(jì)思路是通過運(yùn)用空間分集接收技術(shù)和最佳比例同相合成技術(shù)，對(duì)傳統(tǒng)模擬接收機(jī)進(jìn)行合理的數(shù)字化改造，從而在很大程度上克服了非理想信道中的瑞利衰弱和無(wú)線信號(hào)之間的相互干擾，最終優(yōu)化了接收信號(hào)的質(zhì)量，提高了接收信號(hào)的信噪比。2數(shù)字短波接收機(jī)方案的確定。仔細(xì)比較了各種接收機(jī)方案，并且分析了它們的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)，給出了本文采用的接收機(jī)方案。在第二章中，通過分析和比較三種不同的數(shù)字接收機(jī)的實(shí)現(xiàn)方案，最終選擇了寬帶中頻數(shù)字化采樣結(jié)構(gòu)作為本設(shè)計(jì)的數(shù)字化實(shí)現(xiàn)方案。3完成了短波數(shù)字接收機(jī)硬件系統(tǒng)電路和電路板的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。并重點(diǎn)分析研究了關(guān)鍵電路部分。由于原模擬設(shè)備運(yùn)行正常且性能良好，本課題使用原模擬接收機(jī)作為短波信號(hào)接收單元。本系統(tǒng)主要功能模塊包括四路短波接收模塊，四路增益控制模塊和四路模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊，以及FPGA分集合成解調(diào)模塊和數(shù)模轉(zhuǎn)換輸出模塊。本課題的最大特點(diǎn)就是沿用了原有的模擬設(shè)備，從而在有效節(jié)約成本的前提下達(dá)到了預(yù)期的效果。4本課題的研究重點(diǎn)在于短波模擬接收機(jī)的數(shù)字化改造的設(shè)計(jì)方案和空間分集合成的FPGA實(shí)現(xiàn)。論文第四章詳細(xì)闡述了FPGA模塊部分實(shí)現(xiàn)的原理和方式，并著重介紹了空間分集合成的實(shí)現(xiàn)過程。5最后在實(shí)驗(yàn)室條件下，對(duì)短波數(shù)字接收機(jī)數(shù)字部分電路進(jìn)行了必要的仿真分析。并完成了對(duì)短波數(shù)字接收機(jī)的整機(jī)測(cè)試。

簡(jiǎn)介：點(diǎn)擊查看更多萍鋼高線工程1#飛剪控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì).pdf精彩內(nèi)容。

簡(jiǎn)介：點(diǎn)擊查看更多高光譜遙感數(shù)據(jù)處理分析軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf精彩內(nèi)容。

簡(jiǎn)介：多電平PWM整流器憑借其對(duì)開關(guān)器件耐壓要求低，且在同等開關(guān)頻率下的諧波含量遠(yuǎn)小于兩電平整流器諧波含量等優(yōu)勢(shì)，成為了電力電子裝置在高壓大功率應(yīng)用場(chǎng)合的研究熱點(diǎn)。針對(duì)中點(diǎn)箝位式三電平變流拓?fù)浯嬖诘墓β势骷?、可能?dǎo)致橋臂直通等不足的問題，從安全和經(jīng)濟(jì)角度出發(fā)，本文以三相三開關(guān)三電平VIENNA整流器為研究對(duì)象，從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、工作原理、控制算法等方面展開較為深入的研究，通過仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證了VIENNA整流器可使用較少的開關(guān)器件實(shí)現(xiàn)裝置的單位功率因數(shù)運(yùn)行。論文首先分析了VIENNA拓?fù)涞牟煌ぷ鳡顟B(tài)，在DQ數(shù)學(xué)模型下通過引進(jìn)電流前饋實(shí)現(xiàn)了對(duì)電流的解耦控制，由此建立了基于PI調(diào)節(jié)的雙閉環(huán)控制結(jié)構(gòu)框圖。深入研究三電平空間電壓矢量調(diào)制SVPWM算法，并在此基礎(chǔ)上對(duì)其進(jìn)行改進(jìn)，完成了三電平空間參考矢量合成向兩電平空間矢量合成的變換，簡(jiǎn)化矢量合成的復(fù)雜度，便于實(shí)現(xiàn)數(shù)字控制，并通過仿真驗(yàn)證了該方法的正確性。針對(duì)三電平拓?fù)潆娐饭逃械闹绷麟妷褐悬c(diǎn)不穩(wěn)定問題，本文在分析各合成矢量對(duì)中點(diǎn)電位不同影響的基礎(chǔ)上，引進(jìn)了基于調(diào)節(jié)因子的中點(diǎn)電位控制策略。該方法利用短電壓矢量對(duì)中點(diǎn)電位的互補(bǔ)影響，動(dòng)態(tài)調(diào)整短電壓矢量的作用時(shí)間，以保持中點(diǎn)電位平衡，通過仿真驗(yàn)證了該策略在中點(diǎn)電位控制方面的有效性。在以上工作的基礎(chǔ)上完成了三相VIENNA整流器功率主回路和基于浮點(diǎn)型DSP數(shù)字控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，給出了簡(jiǎn)化三電平空間電壓矢量合成算法的程序流程圖，并設(shè)計(jì)了一臺(tái)20KW試驗(yàn)樣機(jī)。試驗(yàn)結(jié)果和波形表明VIENNA整流器在基于簡(jiǎn)化SVPWM算法的雙閉環(huán)控制策略下，具有諧波含量低、功率因數(shù)高、動(dòng)穩(wěn)態(tài)性能良好的特點(diǎn)，且在抑制中點(diǎn)電位波動(dòng)方面體現(xiàn)出較大的優(yōu)越性。

簡(jiǎn)介：隨著MOS制造工藝的不斷進(jìn)步晶體管的尺寸變得越來(lái)越小SRAM存儲(chǔ)單元電路對(duì)制造工藝的偏差越來(lái)越敏感其性能也就越來(lái)越不穩(wěn)定。由于低功耗的性能要求低電源電壓技術(shù)也被應(yīng)用到SRAM單元電路設(shè)計(jì)中。然而低的電源電壓會(huì)導(dǎo)致SRAM存儲(chǔ)單元電路的靜態(tài)噪聲余量SNM進(jìn)一步的降低也即穩(wěn)定性更差。功耗的增大也是SRAM技術(shù)發(fā)展的一個(gè)難題。據(jù)ITRS國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖預(yù)測(cè)在嵌入式存儲(chǔ)器當(dāng)中SRAM存儲(chǔ)單元陣列將占到所有晶體管數(shù)目的一大半。由于SRAM單元數(shù)目的巨大以及漏電流LEAKAGEPOWER的不斷增大SRAM單元陣列的功耗偏大問題也變得越來(lái)越突出。傳統(tǒng)的SRAM存儲(chǔ)單元采用的是六管的結(jié)構(gòu)其讀操作采用的是直接存取機(jī)理。在讀操作過程中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)點(diǎn)通過存取晶體管直接與位線BITLINE相接由于分壓和外部噪聲的影響存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)很不穩(wěn)定也就是讀操作的破壞。改良型的七管SRAM結(jié)構(gòu)特別針對(duì)六管SRAM讀操作破壞的問題采用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)點(diǎn)與位線分離的方法消除了電壓分壓以及外部噪聲的問題其穩(wěn)定性得到顯著提升。但是由于只有一個(gè)存取NMOS管用于寫操作加上閾值電壓損失的作用其寫操作的穩(wěn)定性及速度不能達(dá)到要求。一種新型的八管SRAM結(jié)構(gòu)被提出其針對(duì)于七管SRAM的寫操作的問題在交叉耦合的反相器之間加入了一個(gè)PMOS晶體管。在數(shù)據(jù)保持和讀操作過程中PMOS是導(dǎo)通的兩個(gè)反相器組成一個(gè)鎖存器LATCH從而保持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定。在寫操作過程中PMOS關(guān)斷保持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定的鎖存器被打斷為串行相連的反相器因此數(shù)據(jù)可以更容易的寫進(jìn)去寫操作能力增強(qiáng)。在八管SRAM結(jié)構(gòu)中所有的晶體管都采用了最小尺寸晶體管其面積增加不多。多閾值電壓技術(shù)也可以應(yīng)用于SRAM結(jié)構(gòu)從而降低漏電流同時(shí)改善讀操作的性能。另外單個(gè)位線運(yùn)用’于讀寫操作使其讀寫操作的動(dòng)態(tài)功耗得到明顯降低。相對(duì)于六管SRAM結(jié)構(gòu)八管的SRAM具有更好的穩(wěn)定性和較低的功耗。

簡(jiǎn)介：論文作者簽名型蘊(yùn)指導(dǎo)教師簽名7卜弓一七轟評(píng)閱人2評(píng)閱人3評(píng)閱人4評(píng)閱人5答辯委員會(huì)主席但光正委員1周洼委員2沈建塹委員3但迸正委員4姚纓墓委員5揚(yáng)佳友浙江大學(xué)研究生學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得逝姿盤堂或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均己在論文中作孓明確的說(shuō)明并表示謝意。學(xué)位論文作者簽名主4磊簽字日期鈞／。年占月7日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解逝姿態(tài)鱟有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交本論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)逝鎏盤堂可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索和傳播，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)書學(xué)位論文作者簽名復(fù)J磊簽字日期Z，。卜年6月7日導(dǎo)師簽名木弓“苣簽字日期乙9J乙年舌月7目