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文檔簡介
1、本文采用射頻反應磁控濺射技術，利用高純Si靶(純度為99.99%)作為濺射靶材，以高純Ar、O2分別作為濺射氣體和反應氣體,在Si(111)基片和Al/Si（111）基片上制備了SiO2薄膜材料。利用原子力顯微鏡（AFM）、臺階儀以及橢偏儀對SiO2薄膜來進行測量分析。根據(jù)實驗結(jié)果，對實驗參數(shù)進行優(yōu)化，利用單一變量法研究了工作氣壓、濺射功率、氬氧流量比以及中頻偏壓對SiO2薄膜的光學性能、沉積速率以及表面形貌的影響。
本研究主
2、要內(nèi)容包括：⑴工作氣壓、濺射功率、O2流量所占百分比以及中頻偏壓對SiO2薄膜的折射率、沉積速率以及表面形貌具有顯著的影響。隨著反應氣壓的增大，薄膜的沉積速率逐漸降低，折射率也降低；濺射功率在從50W增加到150W的過程中，薄膜的沉積速率線性增加，折射率先增加后減小，在100V時最佳；隨著氬氧流量比中氧氣流量的增加，薄膜的沉積速率和折射率都有所下降，在20:2時沉積速率最大，折射率較好；中頻偏壓(40KHz)在從0V增長到200V過程中
3、，SiO2薄膜的沉積速率逐漸降低，折射率先增加再減小在150V時為1.458，薄膜的表面粗糙度由0V時的1.04nm降到150V時的0.452nm，此時的薄膜表面粗糙度最小為0.452nm，并且表面形貌最為光滑，繼續(xù)增大偏壓，表面粗糙度增大為0.479nm，表面變得又不光滑。根據(jù)分析結(jié)果，討論了實驗條件對SiO2薄膜的影響。⑵中頻偏壓對Al/Si表面制備的SiO2薄膜具有顯著的影響，在中頻偏壓0-150V范圍內(nèi)，薄膜的表面粗糙度逐漸減小
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