磁控濺射與PECVD方法制備SiGe-SiO2薄膜.pdf

1、近年來，隨著太陽能技術(shù)的蓬勃發(fā)展，人們在日常生活中太陽能電池應(yīng)用的領(lǐng)域越來越廣泛，而且目前應(yīng)用最多的就是硅電池。而如何增加太陽能電池板的光透過率，增加光電轉(zhuǎn)換效率成為目前研究的熱門話題。
　　二氧化硅具有結(jié)構(gòu)簡單，性能穩(wěn)定，成本低廉，而且很適合做光學(xué)增透膜。鍺比硅的光譜吸收范圍要寬，色散小，折射率高而且在紅外波段透過率也比較好。所以在太陽能硅電池板上鍍上這兩種成份，能夠有效地提高太陽能電池板的光透過率以及增加其光電轉(zhuǎn)換效率。

2、>　　本文主要研究了利用磁控濺射與等離子體增強化學(xué)氣相沉積方法制備SiGe-SiO2薄膜。對制備的工藝步驟進(jìn)行了描述，對實驗的工藝進(jìn)行了探索，對實驗的結(jié)果進(jìn)行了測試分析。
　　本文首先介紹了磁控濺射與等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r，闡述了用磁控濺射與等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備SiGe-SiO2薄膜的基本原理，設(shè)備結(jié)構(gòu)和基本的工藝流程，采用不同的實驗參數(shù)進(jìn)行了薄膜沉積。
　　對采用不同實驗參數(shù)沉積得到的SiGe-