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文檔簡介
1、 本文采用磁控濺射法制備硼納米晶體薄膜和硼納米非晶薄膜，掃描電子顯微鏡(SEM)觀察這些薄膜的表面形貌，能譜儀(EDS)和選區(qū)電子衍射(SAED)表征薄膜的成分，納米壓痕儀(Nanoindentor)測定薄膜的性能；同時(shí)，在Au的催化作用下，使用磁控濺射法在硼薄膜上制備晶體硼納米線，SEM觀察納米線的形貌，EDS、TEM和能量損失譜(EELS)表征了納米線的成分；最后，系統(tǒng)研究濺射參數(shù)對納米線生長的影響，對納米線的生長機(jī)制也做了相應(yīng)的
2、研究。不同濺射氣壓下制備的硼納米晶體薄膜的表征結(jié)果表明，濺射氣壓的提高有利于薄膜致密化和納米硬度的提高，但對薄膜的彈性模量的影響不大。不同的基片溫度下制備的硼納米非晶薄膜的表征結(jié)果表明，隨著基片溫度的降低，薄膜上的納米顆粒逐漸分散，薄膜的彈性模量和納米硬度也隨之降低。最后，對制備的硼納米線樣品進(jìn)行了研究。研究結(jié)果表明，在Au觸媒的作用下，生長晶體硼納米線的臨界溫度為600℃；提高基片溫度和濺射氣壓，延長濺射時(shí)間有利于生長大面積、直徑一致
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