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文檔簡介
1、本文采用磁控濺射法在Si(100)單晶襯底上制備ZrxCu1-x(0.15≤x≤0.95)二元非晶合金薄膜，采用能譜儀(EDS)表征薄膜的成分，采用臺階儀研究濺射參數(shù)如濺射時(shí)間、襯底溫度、濺射功率等對于薄膜的沉積速率的影響，采用X射線衍射(XRD)技術(shù)和透射電子顯微(TEM)技術(shù)研究了各個(gè)濺射參數(shù)對薄膜結(jié)構(gòu)的影響。
EDS分析結(jié)果表明，薄膜的成分與靶材的成分基本一致。臺階儀分析結(jié)果表明，薄膜的沉積速率隨濺射時(shí)間的增長而增加，隨
2、濺射功率的升高而增加，隨襯底溫度的升高而降低。
XRD分析結(jié)果表明，室溫下各成分ZrxCu1-x合金薄膜都顯示出很強(qiáng)的非晶形成趨勢。當(dāng)襯底溫度升高到300℃時(shí)，Zr50Cu50、Zr35Cu65成分的薄膜仍然顯示出較強(qiáng)的非晶形成趨勢。在整個(gè)成分范圍內(nèi)，隨著x的增加， ZrxCu1-x薄膜合金的非晶形成能力有明顯的連續(xù)變化趨勢，表現(xiàn)出與相應(yīng)的塊體合金不同的變化規(guī)律。
襯底溫度的升高和偏置電壓的施加均不利于非晶結(jié)構(gòu)的形成
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