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1、本研究采用射頻濺射法制備了氫化納米硅薄膜,通過(guò)原子力顯微圖像、X射線衍射、拉曼譜測(cè)試以及電學(xué)性能測(cè)試,深入討論了納米硅薄膜的生長(zhǎng)機(jī)制、微觀結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)特性;通過(guò)測(cè)試分析,薄膜的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)主要與工作氣體的成分和氣壓有關(guān),隨著工作氣體中的氫氣含量增加,氫化納米硅薄膜的晶化度有所增大,晶粒尺寸也變大;隨著沉積時(shí)間增加,薄膜厚度增長(zhǎng)的同時(shí),膜內(nèi)晶粒的晶向趨于無(wú)序化。從理論上討論了制作納米硅太陽(yáng)電池的薄膜成分及結(jié)構(gòu)特點(diǎn)——低晶化度的納米非晶
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