基于磁控濺射法制備CuIn(Se1-xSx)2薄膜.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著傳統(tǒng)化石能源的日益消耗,能源危機和環(huán)境惡化問題將愈發(fā)嚴重,可再生新能源的研究和開發(fā)成為全世界各國關注的熱點。與此同時,隨著技術的進步,銅銦硒硫(CISS)薄膜太陽能電池以其高轉(zhuǎn)換效率、高輻射穩(wěn)定性和相對的低成本,成為取代傳統(tǒng)化石能源的首選。但是,CISS薄膜太陽能電池要實現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化,還急需解決一系列關鍵科學技術問題。本論文主要就磁控濺射后固態(tài)源硒化法制備銅銦硒薄膜太陽能電池中的硒化工藝,以及低溫部分硒化后的硫化工藝,進行了一些探

2、索。本論文著重從以下三個方面來分析研究。
   首先,研究了Cu-In金屬預制層對硒化的影響。調(diào)節(jié)靶材濺射功率制備Cu-In金屬預制層。通過XRD和SEM測試和分析,探討了Cu-In金屬預制層的可能成相機理,以及對Cu-In金屬預制層的形貌和元素成分的影響。最后,總結(jié)出了有利于硒化的Cu-In金屬預制層的最佳濺射參數(shù)。
   其次,為了制備出單一均相的銅銦硒硫(CISS)薄膜,本論文全面研究了硒化溫度對薄膜形貌和成分的影

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