低能電子致高Z原子L、M殼層X射線產(chǎn)生截面的測(cè)量研究.pdf

1、低能電子與原子碰撞引起內(nèi)殼層電離的截面測(cè)量研究，在理論和實(shí)際應(yīng)用都具有重要意義?？煽康碾娮又略觾?nèi)殼層電離截面實(shí)驗(yàn)值能推動(dòng)描述電子——原子碰撞理論模型的進(jìn)一步發(fā)展和完善。此外電子致原子內(nèi)殼層電離截面數(shù)據(jù)廣泛應(yīng)用在眾多高新技術(shù)領(lǐng)域。目前電離截面研究中，存在實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)較缺乏、不同作者給出的實(shí)驗(yàn)結(jié)果分歧較大的現(xiàn)狀。
　　在低能電子致原子X射線產(chǎn)生截面的實(shí)驗(yàn)測(cè)量研究中，論文主要進(jìn)行了以下工作:1.硅漂移(SDD)探測(cè)器效率刻度。SDD探測(cè)器

2、對(duì)低能X射線的探測(cè)效率性能較好于常用的Si(Li)探測(cè)器。由于幾keV能區(qū)的準(zhǔn)確效率刻度一直存在著困難，實(shí)驗(yàn)要求需要對(duì)SDD探測(cè)器低能區(qū)(1.4-14keV)進(jìn)行準(zhǔn)確的效率刻度。采用由SDD探測(cè)器收集到的19keV電子碰撞純厚碳靶實(shí)驗(yàn)韌致輻射譜與PENELOPE計(jì)算得到的理論韌致輻射譜進(jìn)行比較，可得到SDD探測(cè)器相對(duì)效率刻度曲線。用241Am標(biāo)準(zhǔn)點(diǎn)源得到的SDD探測(cè)器在11.87keV和13.95keV絕對(duì)效率刻度，將SDD探測(cè)器相對(duì)效

3、率刻度曲線絕對(duì)化，從而得到SDD探測(cè)器較為可靠的效率刻度。2.靶結(jié)構(gòu)對(duì)特征X射線計(jì)數(shù)的影響程度修正。使用2005版PENELOPE軟件，模擬電子碰撞薄膜厚碳結(jié)構(gòu)的靶樣品誘發(fā)特征X射線物理過程，與程序數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行對(duì)比，得到靶結(jié)構(gòu)對(duì)特征X射線計(jì)數(shù)的影響程度。3.完成軟件數(shù)據(jù)庫(kù)電離截面庫(kù)的替換軟件。PENELOPE軟件電離截面數(shù)據(jù)庫(kù)引自光學(xué)(ODM)模型，應(yīng)用Fortran語言，實(shí)現(xiàn)程序數(shù)據(jù)庫(kù)更新，將ODM數(shù)據(jù)庫(kù)更新為較為認(rèn)可的雙扭曲波-玻恩近