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1、正負(fù)電子致原子內(nèi)殼層電離截面的測(cè)量研究作為原子物理學(xué)中的一項(xiàng)基礎(chǔ)研究,在理論研究和實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域,都具有十分重要的意義。一方面,精確的正負(fù)電子致原子內(nèi)殼層電離截面有助于正確的理解正負(fù)電子與物質(zhì)原子的相互作用機(jī)制,促進(jìn)理論模型的發(fā)展和完善。另一方面,正負(fù)電子致原子內(nèi)殼層電離截面數(shù)據(jù)在諸多實(shí)際應(yīng)用中不可缺少。雖然關(guān)于截面測(cè)量的研究一直在持續(xù),但是截止目前,電子致原子內(nèi)殼層電離截面實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)依然缺乏,如Se的L殼層。此外,對(duì)于最新發(fā)展的DWBA理
2、論,存在著不同研究者給出的實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論模型存在顯著差異的現(xiàn)象。因此,這一研究領(lǐng)域仍然需要進(jìn)行深入的實(shí)驗(yàn)研究。
本文研究了keV能量的電子致Al的K殼層電離截面和Se的總L殼層特征X射線(xiàn)產(chǎn)生截面的測(cè)量研究。內(nèi)容包括:⑴測(cè)量了2.5keV~20keV的入射電子致單原子碳層Al靶和薄膜厚碳襯Al靶的的K殼層電離截面,以檢驗(yàn)單原子碳層靶用于電子致原子內(nèi)殼層電離截面的實(shí)驗(yàn)研究的可靠性。⑵使用7.8nm厚的Se薄膜鍍?cè)诩s2 mm厚的碳襯
3、底作為靶樣品,測(cè)量了3.5keV~30keV的入射電子致Se的總L殼層X(jué)射線(xiàn)產(chǎn)生截面。⑵考慮到厚襯底對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響,本文使用基于蒙特卡羅方法的PENELOPE程序模擬實(shí)驗(yàn)過(guò)程,以厚襯底對(duì)實(shí)驗(yàn)測(cè)量值的修正因子。實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn),單原子碳層靶可以用于電子致原子內(nèi)殼層電離截面的實(shí)驗(yàn)研究。在誤差范圍內(nèi),DWBA理論值與本文Al的K殼層電離截面的測(cè)量值及他人已發(fā)表的實(shí)驗(yàn)結(jié)果符合較好,DWBA理論值與Se的總L殼層X(jué)射線(xiàn)產(chǎn)生截面實(shí)驗(yàn)結(jié)果也符合較好,D
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