埋入式電容器的設(shè)計及電學(xué)性能研究.pdf

1、隨著現(xiàn)在電子產(chǎn)品對運(yùn)行速度和功率的要求越來越高，其在PI，SI，EMC中產(chǎn)生的問題越來越多，這些類似的問題引起各個領(lǐng)域工程師的廣泛關(guān)注。通過采用一些新的技術(shù)和新的工藝，例如埋入式技術(shù)，PI，SI，EMC模擬軟件等工具，這些問題逐漸得到了解決。對埋入式電容技術(shù)的需要主要包括以下一些方面:首先現(xiàn)在許多電子產(chǎn)品的芯片都需要高速運(yùn)行，而且要求其運(yùn)行電壓要低，在運(yùn)行過程中要有很快的響應(yīng)速度，較低的電壓漣波，較低的阻抗。其次現(xiàn)在電子產(chǎn)品都要求小型化

2、，最后分立電容的電性能滿足不了現(xiàn)在電子行業(yè)的要求，較高的電容密度，寬頻濾波，高頻濾波是對現(xiàn)在電子產(chǎn)品的主要要求。
　　 埋入式電容材料的選擇多種多樣，現(xiàn)在主要研究集中在純陶瓷材料和復(fù)合材料上。但由于陶瓷材料在制備過程中需要較高的溫度，而且陶瓷薄膜柔性差，制備工藝復(fù)雜，在一定程度上限制了其應(yīng)用。而復(fù)合材料將有機(jī)聚合物較高的介電強(qiáng)度與無機(jī)材料較好的介電性能結(jié)合起來，而且復(fù)合薄膜在一定程度上保持了較好的韌性，這使得復(fù)合材料成為埋入式電