

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、亞波長(zhǎng)金屬光柵結(jié)構(gòu)是近年來迅速發(fā)展起來的納米功能元件之一。將亞波長(zhǎng)光柵結(jié)構(gòu)和GaN基LED發(fā)光芯片集成一體,在提高出光效率的同時(shí),使LED具有直接偏振出光功能,對(duì)掌握光電子器件核心技術(shù)具有重要的意義。這種高效偏振出光的LED在集成光子學(xué)、光電子器件和新型光顯示技術(shù)等都有著廣闊的應(yīng)用前景。
本論文主要對(duì)GaN基LED表面的亞波長(zhǎng)金屬光柵結(jié)構(gòu)的理論設(shè)計(jì)和制作方法展開了研究,主要包括以下幾方面:
1.利用等效介質(zhì)理論分析了
2、GaN表面介質(zhì)膜結(jié)構(gòu),通過對(duì)過渡介質(zhì)層的優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了對(duì)光傳導(dǎo)的調(diào)控,改善了結(jié)構(gòu)的光學(xué)性能。利用FDTD方法研究了GaN基LED表面嵌入式復(fù)合光柵結(jié)構(gòu),分析了光柵材料性質(zhì)和結(jié)構(gòu)尺寸,包括過渡介質(zhì)層和復(fù)合光柵的材料、過渡介質(zhì)層薄膜厚度、復(fù)合光柵的周期、占空比和深度等等,說明了在GaN基底和光柵層之間引入過渡介質(zhì)層結(jié)構(gòu),可以增強(qiáng)藍(lán)綠光波段 LED的的偏振出光。
2.在GaN基LED的表面設(shè)計(jì)了兩種新型的表面微納偏光結(jié)構(gòu):(1)空氣隙
3、偏振型金屬光柵結(jié)構(gòu),由于更多的能量被局域在空氣隙內(nèi),近場(chǎng)耦合增強(qiáng),使得更多的TM光透過,該結(jié)構(gòu)的偏振透射率達(dá)到88%,消光比為37dB,匹配波段幾乎覆蓋整個(gè)可見光范圍,且光柵周期設(shè)計(jì)達(dá)到200nm;(2)納米顆粒陣列的亞波長(zhǎng)金屬光柵結(jié)構(gòu),綠光波段透射率達(dá)到84%,消光比為26dB,而且納米顆粒陣列結(jié)構(gòu)可以降低凹槽填充的難度。
3.介紹了亞波長(zhǎng)金屬光柵結(jié)構(gòu)的制備工藝,研究了光刻剝離工藝和全息-離子束刻蝕工藝。采用紫外激光雙光束干
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 利用亞波長(zhǎng)納米微鏡表面結(jié)構(gòu)增強(qiáng)GaN基LED出光效率的研究.pdf
- 金屬-介質(zhì)納米結(jié)構(gòu)光子器件偏振特性與高效偏振出光GaN基LED設(shè)計(jì)與制備.pdf
- 利用微納結(jié)構(gòu)提高GaN基LED發(fā)光效率的研究.pdf
- GaN基LED電極設(shè)計(jì)及其出光特性研究.pdf
- 微-納米結(jié)構(gòu)增強(qiáng)GaN基LED器件光取出效率的研究.pdf
- 表面微結(jié)構(gòu)對(duì)GaN基LED光提取效率提高的研究.pdf
- Si襯底GaN基藍(lán)光LED芯片出光效率的研究.pdf
- GaN基LED的ITO表面微元粗化改善光效的研究.pdf
- 表面處理對(duì)硅襯底GaN基LED粗化及出光效率影響的研究.pdf
- 表面粗化提高GaN基LED光提取效率.pdf
- 側(cè)面傾斜與粗糙化提高GaN基LED出光效率的研究.pdf
- 氧化物微納米結(jié)構(gòu)提高GaN基LED光提取效率的研究.pdf
- GaN基LED光提取效率的研究.pdf
- GaN基LED表面精化結(jié)構(gòu)制備技術(shù)研究.pdf
- GaN基LED取光效率的研究.pdf
- GaN-LED出射光束整形和出光效率提高.pdf
- GaN基LED結(jié)構(gòu)材料研究.pdf
- GaN基LED結(jié)構(gòu)優(yōu)化的研究.pdf
- GaN基藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì).pdf
- 微納結(jié)構(gòu)提高光伏與LED器件效率研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論