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文檔簡(jiǎn)介
1、LED成為近年來(lái)最受重視的照明光源之一,它具有輕,薄,短,小的特性,以及封裝后耐震,耐沖擊,而且具有特殊的發(fā)光分布和較長(zhǎng)的使用壽命,使它成為了一種優(yōu)異的光源選擇,因此提高LED外延材料性能以及光電性能就變得尤為重要了。
本文主要研究了通過(guò)在工藝上改善LED外延結(jié)構(gòu)來(lái)優(yōu)化外延片表面質(zhì)量,提高其光電性能。首先,采用壘層摻In的外延結(jié)構(gòu),降低了量子阱中位錯(cuò)密度、提高了界面質(zhì)量,PL譜和芯片的光電測(cè)試結(jié)果顯示壘層摻In樣品的發(fā)光強(qiáng)
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