GaN基紫外LED外延p型結(jié)構(gòu)與工藝研究.pdf

1、近年來，隨著 UVLED技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，其以廣泛的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)涉及到了生活的各個(gè)領(lǐng)域，特別是在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域，對(duì)于提高紫外LED的光效和亮度的研究仍然很重要，本文介紹了提高LED內(nèi)外量子效率的一些有效手段，最后就P型層對(duì)于 LED發(fā)光效率的影響進(jìn)行了詳細(xì)的研究。通過表征手段 X射線衍射、光致熒光譜分析了不同生長(zhǎng)參數(shù)下外延片的質(zhì)量及光致發(fā)光波長(zhǎng)等方面的差異，對(duì)于經(jīng)過常規(guī)LED正裝工藝制成的芯片，采用EL表征了器件的發(fā)光特性。
　　本文

2、具體對(duì)于紫外 LED的P型結(jié)構(gòu)的研究，是通過 P型 AlGaN電子阻擋層的厚度及Al組分的優(yōu)化，在 Al組分為0.2，厚度達(dá)到12.5nm左右的時(shí)候，認(rèn)為電子阻擋層不僅抑制了量子阱中位錯(cuò)的延伸，使得外延片的質(zhì)量提高，而且還有效的抑制了電流的溢出，達(dá)到了提高光效的目的，對(duì)于P型GaN層的優(yōu)化，采取TMGa流量、CP2Mg流量的改變來優(yōu)化其厚度和生長(zhǎng)速率，在 TMGa流量為30sccm，CP2Mg流量為170sccm時(shí)，進(jìn)一步提高了LED的