憶阻器模型電路設計與憶阻器混沌電路研究.pdf

1、1971年華裔科學家蔡少棠提出了一種除電阻、電容和電感之外的第四種基本電子器件憶阻器，并給出了憶阻器的定義以及相關電路學理論，但由于科學技術的限制，一直沒有制作出憶阻器實物器件，直到37年后，納米形態(tài)下的憶阻器才由惠普實驗室制作出來，隨后吸引了眾多科學家對憶阻器的研究。憶阻器是一種納米尺寸器件，將憶阻器應用于實際電路設計存在技術難度大、成本高等系列問題，因此設計一種憶阻器模擬等效電路，這對分析和研究憶阻器電學特性及其在具體工程中的應用具

2、有重要意義。
　　憶阻器阻值會隨輸入激勵信號源的變化而呈非線性改變，是一種典型的非線性器件，因此是構建混沌和超混沌系統(tǒng)的理想元件，并且憶阻器混沌系統(tǒng)以其對系統(tǒng)參數(shù)、初始條件的極端敏感性和混沌特性豐富等優(yōu)勢將廣泛應用于信息加密和混沌保密通信等眾多領域。本文的工作重點集中在憶阻器模擬等效電路的設計及憶阻器混沌電路在保密通信中的應用研究，主要研究工作如下：
　　(1)根據(jù)磁控憶阻器電學特性，設計了一類磁控憶阻器模擬等效電路，經(jīng)Ps

3、pice仿真驗證，該等效電路能很好地模擬磁控憶阻器的電學特性，并且提出的等效電路結(jié)構簡單，硬件容易實現(xiàn)，非常適合在實驗環(huán)境中分析和研究憶阻器，同時該等效電路能應用于實際憶阻器混沌電路的仿真。
　　(2)在蔡氏電路的基礎上利用磁控憶阻器設計了一類四階憶阻器混沌電路，采用基本的動力學分析手段研究了其動力學特性，為驗證所設計電路的混沌特性，利用憶阻器模擬等效電路和基本電子元器件實現(xiàn)了電路仿真，仿真結(jié)果驗證了電路的混沌特性并證實了所設計電