金屬氧化物氣敏材料制備與氣敏性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文針對目前半導體氣敏元件存在的問題，對新型氣敏材料CoFe2O4和ZnIn2O4的合成、氣敏性能和氣敏機理進行了研究。用化學共沉淀法合成了CoFe2O4和ZnIn2O4，并對其氣敏特性和電阻特性進行了研究，發(fā)現具有尖晶石型晶體結構的復合氧化物CoFe2O4和ZnIn2O4不僅具有良好的氣敏性能，且比單一氧化物具有更好的選擇性。此外，對In2O3進行了摻雜改性，研究了其氣敏特性和電阻特性。研究發(fā)現，CoFe2O4制作的元件對低濃度的乙醇

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