2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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1、SiC作為新一代半導體材料,具有廣闊的應用前景;而在晶體生長過程中產(chǎn)生的缺陷對晶體的質(zhì)量產(chǎn)生了重要的影響。本文根據(jù)SiC晶體中的微管、熱分解空腔和六方空洞的產(chǎn)生的機理和抑制方法,針對2英寸SiC單晶生長工藝,提出了一種保護籽晶的方法,即通過直流反應濺射法在籽晶背面鍍一層致密、均勻耐高溫的TiN薄膜。最后使用這種籽晶生長SiC晶體樣品,采用顯微觀測和X射線衍射(XRD)測試手段,對籽晶背面升華狀況、樣品生長前端的表面形貌、缺陷密度、半峰寬

2、等進行測試分析,得出如下主要結(jié)論:
　　1)在SiC晶體生長工藝中,由于粘接劑的涂抹不均勻,會在籽晶的背面產(chǎn)生一些空洞,此空洞在晶體生長過程中會促使籽晶背面升華,導致各種缺陷的產(chǎn)生,影響SiC晶體質(zhì)量。
　　2)在相同的晶體生長條件下,通過對籽晶背面鍍膜和未鍍膜的實驗樣品進行對比,結(jié)果顯示籽晶背面鍍膜后其背面沒有發(fā)生升華現(xiàn)象,并且生長出的晶體中未觀察到熱分解空腔和六方空洞,并且從晶體的生長前端的表面形貌觀測得出籽晶背面鍍膜的

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