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文檔簡介
1、影響SiC器件商品化進程的主要問題是器件特性和制造成本,而制約SiC器件最佳性能和降低成本的主要因素是SiC晶體的尺寸和結(jié)晶品質(zhì)。因此,大尺寸、高品質(zhì)SiC單晶的生長是國際上一個引人注目的研究熱點。影響PVT法生長SiC單晶品質(zhì)的因素很多,其中Si比C易揮發(fā)而導致生長氣氛中Si/C摩爾比的不平衡是一個主要因素。本文在原料中添加富余Si粉進行晶體生長,以緩解Si原子大量流失的方法和可行性問題。配合顯微觀察和X射線衍射測試,得到了以下結(jié)論:
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