籽晶背面鍍膜對(duì)SiC晶體質(zhì)量的影響.pdf

1、SiC作為新一代半導(dǎo)體材料,具有廣闊的應(yīng)用前景;而在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的缺陷對(duì)晶體的質(zhì)量產(chǎn)生了重要的影響。本文根據(jù)SiC晶體中的微管、熱分解空腔和六方空洞的產(chǎn)生的機(jī)理和抑制方法,針對(duì)2英寸SiC單晶生長(zhǎng)工藝,提出了一種保護(hù)籽晶的方法,即通過(guò)直流反應(yīng)濺射法在籽晶背面鍍一層致密、均勻耐高溫的TiN薄膜。最后使用這種籽晶生長(zhǎng)SiC晶體樣品,采用顯微觀測(cè)和X射線衍射(XRD)測(cè)試手段,對(duì)籽晶背面升華狀況、樣品生長(zhǎng)前端的表面形貌、缺陷密度、半峰寬

2、等進(jìn)行測(cè)試分析,得出如下主要結(jié)論:
　　1)在SiC晶體生長(zhǎng)工藝中,由于粘接劑的涂抹不均勻,會(huì)在籽晶的背面產(chǎn)生一些空洞,此空洞在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)促使籽晶背面升華,導(dǎo)致各種缺陷的產(chǎn)生,影響SiC晶體質(zhì)量。
　　2)在相同的晶體生長(zhǎng)條件下,通過(guò)對(duì)籽晶背面鍍膜和未鍍膜的實(shí)驗(yàn)樣品進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果顯示籽晶背面鍍膜后其背面沒(méi)有發(fā)生升華現(xiàn)象,并且生長(zhǎng)出的晶體中未觀察到熱分解空腔和六方空洞,并且從晶體的生長(zhǎng)前端的表面形貌觀測(cè)得出籽晶背面鍍膜的