毫米波介質(zhì)移相器研究.pdf

1、該文對(duì)毫米波有源相控陣?yán)走_(dá)T/R組件中有重要應(yīng)用前景的薄膜介質(zhì)移相器展開研究.在對(duì)現(xiàn)有的幾種薄膜介質(zhì)移相器結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上,提出了一種新型的分布式電容負(fù)載型薄膜介質(zhì)移相器結(jié)構(gòu),它由高阻傳輸線和周期性負(fù)載的鈦酸鍶鋇薄膜電容構(gòu)成.采用高頻電磁仿真軟件HP-ADS對(duì)設(shè)計(jì)的移相器進(jìn)行模擬,分別考察了移相器各組成部分對(duì)插入損耗和移相度的影響,并提出了改進(jìn)移相器性能的措施.對(duì)移相器制作工藝進(jìn)行研究并摸索出了移相器的制作工藝流程,最后采用集成電路

2、工藝制作器件.研究結(jié)果如下:(1)采用脈沖激光沉積法制備的BST薄膜結(jié)晶良好,晶粒尺寸在100nm左右;表面粗糙度約為10nm;室溫下,當(dāng)直流電場(chǎng)為3v/μm時(shí)介電系數(shù)變化率約為30％,介質(zhì)損耗約為20％.(2)采用分布式電容負(fù)載型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)出毫米波薄膜介質(zhì)移相器,其中的高阻傳輸線為有限寬度地共面波導(dǎo).采用三線微帶耦合節(jié)實(shí)現(xiàn)共面波導(dǎo)線到微帶線的轉(zhuǎn)換,由于不用通孔連接地電極,隔直也同時(shí)實(shí)現(xiàn).(3)電極損耗是移相器插入損耗的主要來(lái)源.通過(guò)使用