210V SOI工藝PDP行驅動芯片的ESD防護設計.pdf

1、近年來，等離子顯示器PDP由于其出色的顯示效果已經成為高清電視等高清顯示設備的主流產品之一。目前限制PDP顯示設備普及的主要因素是制造成本過高，而PDP驅動芯片占整個設備造價的20％左右。因此，保證PDP驅動芯片的可靠性顯得尤其重要，而靜電放電是可靠性的一個重要因素。本課題的研究任務是針對基于SOI工藝的PDP行掃描驅動芯片，研究功率集成電路中的ESD現(xiàn)象，設計出實際可行的ESD保護方案。
　　本文首先研究了SOI工藝高壓器件在E

2、SD條件下的器件特性和工作性能，主要有高壓二極管、LDNMOS、LIGBT三種高壓器件。然后分別對上述器件的ESD參數(shù)進行了優(yōu)化仿真，以設計得到具有更高的ESD能力的結構。在完成器件結構優(yōu)化后，本文研究了ESD器件的版圖繪制問題，對上述三種器件的版圖給出了優(yōu)化方案
　　最后，我們對ESD防護器件和包含全芯片ESD保護方案的PDP驅動芯片進行了流片驗證，并對流片結果進行了TLP測試。測試結果表明器件的開啟電壓在TLP測試條件下相比直