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文檔簡介
1、磁記憶檢測技術(shù)是基于壓磁效應(yīng)的一種全新的無損檢測技術(shù)。此項技術(shù)自問世以來就受到了廣泛的關(guān)注。研究鐵磁材料磁記憶應(yīng)力檢測力-磁關(guān)系機理對完善磁記憶檢測技術(shù),建立統(tǒng)一有效的檢測標(biāo)準(zhǔn),提高檢測效率有著重要的理論和實際意義。本文從理論和實驗兩方面入手,較為系統(tǒng)的分析了磁記憶應(yīng)力檢測技術(shù)的力-磁關(guān)系機理。
首先,本文從微磁化理論出發(fā),采用 Lagrange乘數(shù)法推導(dǎo)出單晶鐵磁體中的應(yīng)力-磁化矢量關(guān)系的描述方程,進(jìn)一步推導(dǎo)出單晶鐵磁體內(nèi)的
2、應(yīng)力-磁化率變化量關(guān)系表達(dá)式,并以條形單晶鐵磁體為例,采用8節(jié)點等參元法編寫有限元計算程序,計算出不同情況下的應(yīng)力與磁化矢量間的偏轉(zhuǎn)關(guān)系,繪制出單晶鐵磁體內(nèi)應(yīng)力-磁化率關(guān)系曲線。在此基礎(chǔ)上采用體積平均法將單晶鐵磁體內(nèi)得出的結(jié)論推廣到一般的鐵磁構(gòu)件中。
其次,參考國內(nèi)外的相關(guān)文獻(xiàn)資料,根據(jù)變壓器原理設(shè)計出應(yīng)力-磁化率檢測裝置,測量了磁化率變化量與加載應(yīng)力間的關(guān)系曲線以及在施加應(yīng)力與測量方向成不同夾角情況下的力-磁關(guān)系曲線。
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