現(xiàn)代IC制造工藝下離子注入技術(shù)的研究.pdf

1、離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中一項(xiàng)非常重要的技術(shù)。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,器件尺寸越來越小,集成度越來越高,半導(dǎo)體工藝也越來越復(fù)雜,離子注入技術(shù)己成為近幾十年來在國(guó)際上得到蓬勃發(fā)展和廣泛應(yīng)用的高新技術(shù),并在整個(gè)IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展過程中扮演著極其重要的角色。
　　 論文首先介紹了離子注入技術(shù)的原理及特點(diǎn),并與傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散摻雜進(jìn)行比較,在此基礎(chǔ)上討論了在實(shí)際工藝中離子注入摻雜時(shí)應(yīng)注意的幾個(gè)問題。由于離子注入具有對(duì)摻雜濃度、深度的可控性以及穩(wěn)

2、定的可重復(fù)性,因此該工藝成為VLSI生產(chǎn)中不可或缺的摻雜技術(shù),在現(xiàn)代集成電路制造中發(fā)揮著越來越重要的作用。
　　 借助器件／工藝仿真工具ISE-TCAD,本文對(duì)離子注入及退火工藝進(jìn)行了模擬和仿真,并對(duì)影響離子注入的幾個(gè)參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。結(jié)合現(xiàn)代CMOS工藝條件下NMOS管的實(shí)際生成過程,分別從雜質(zhì)注入劑量、注入能量、注入角度以及退火時(shí)間和溫度等條件下進(jìn)行了仿真模擬,并得到了與實(shí)際生產(chǎn)較為吻合的仿真結(jié)果。根據(jù)仿真結(jié)果:當(dāng)注入劑量