有關(guān)半導(dǎo)體工藝中離子注入能量的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩43頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、由于集成電路行業(yè)的迅猛發(fā)展,離子注入由于其工藝干凈,控制非常精準(zhǔn),得到了廣泛的應(yīng)用。隨著制造工藝越來越先進(jìn),離子注入逐漸在整個(gè)工藝當(dāng)中起到相當(dāng)重要的作用,它不再是某種離子在某個(gè)深度注入了一定劑量這樣簡(jiǎn)單的一句話概括的了,而是還需要考慮此離子是以何種角度,怎樣的電流束注入進(jìn)去,會(huì)不會(huì)有原子量污染或者能量污染。
　　 本論文主要研究的是離子注入時(shí)能量污染會(huì)不會(huì)在90nm工藝中起到非常關(guān)鍵的影響,工藝從微米到納米,由于線寬的越來越小,

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論