現(xiàn)代IC制造工藝下離子注入技術的研究.pdf

1、離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中一項非常重要的技術。隨著微電子技術的發(fā)展,器件尺寸越來越小,集成度越來越高,半導體工藝也越來越復雜,離子注入技術己成為近幾十年來在國際上得到蓬勃發(fā)展和廣泛應用的高新技術,并在整個IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展過程中扮演著極其重要的角色。
　　 論文首先介紹了離子注入技術的原理及特點,并與傳統(tǒng)的熱擴散摻雜進行比較,在此基礎上討論了在實際工藝中離子注入摻雜時應注意的幾個問題。由于離子注入具有對摻雜濃度、深度的可控性以及穩(wěn)

2、定的可重復性,因此該工藝成為VLSI生產(chǎn)中不可或缺的摻雜技術,在現(xiàn)代集成電路制造中發(fā)揮著越來越重要的作用。
　　 借助器件／工藝仿真工具ISE-TCAD,本文對離子注入及退火工藝進行了模擬和仿真,并對影響離子注入的幾個參數(shù)進行了優(yōu)化設計。結合現(xiàn)代CMOS工藝條件下NMOS管的實際生成過程,分別從雜質注入劑量、注入能量、注入角度以及退火時間和溫度等條件下進行了仿真模擬,并得到了與實際生產(chǎn)較為吻合的仿真結果。根據(jù)仿真結果:當注入劑量