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1、該文結(jié)合國家"九五"重點科技攻關(guān)課題開展Ir/Re復(fù)合材料的制備基礎(chǔ)與理論問題的研究工作,為成功制備Ir/Re復(fù)合噴管,順利完成攻關(guān)任務(wù)提供了必要的技術(shù)理論支持.首次在國內(nèi)采用化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition簡寫為CVD)技術(shù)制備出Ir/Re復(fù)合材料和復(fù)合噴管.Ir涂層與Re基體之間實現(xiàn)了冶金擴散連接,結(jié)合牢固可靠.采用MOCVD(Metal-OrganicChemicalVaporDeposition)技術(shù)
2、,以乙酰丙酮銥為沉積源,在金屬Mo基體上制備Ir薄膜(涂層).應(yīng)用CVD法制備了難熔金屬Re.研究了主要的CVD工藝參數(shù)對Re的沉積動力學(xué)的影響.Re的沉積速率隨基體溫度的升高呈指數(shù)上升,即沉積速率與溫度的關(guān)系符合Arrhenius公式;氯氣流量的增加使Re的沉積速率呈直線上升,為典型的質(zhì)量控制生長過程.研究了沉積條件對Re的顯微結(jié)構(gòu)的影響.首次用TGA研究了CVDRe的氧化規(guī)律.對于較長時間的氧化而言,CVDRe在1000℃以上的氧化
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