SiO2薄膜的PECVD生長(zhǎng)研究.pdf

1、公開(kāi)公開(kāi)TN題（中、英文）（中、英文）目SiSiO2薄膜的薄膜的PECVDPECVD生長(zhǎng)研究生長(zhǎng)研究StudyontechniquesofPECVDgrowthoftheSiOStudyontechniquesofPECVDgrowthoftheSiO2thinfilmthinfilm作者姓名作者姓名馮興聯(lián)雷天民教授電子與通信工程夏偉研究員學(xué)校指導(dǎo)教師姓名職稱(chēng)學(xué)校指導(dǎo)教師姓名職稱(chēng)工程領(lǐng)域工程領(lǐng)域企業(yè)指導(dǎo)教師姓名職稱(chēng)企業(yè)指導(dǎo)教師姓名職稱(chēng)代

2、號(hào)代號(hào)分類(lèi)號(hào)分類(lèi)號(hào)學(xué)號(hào)學(xué)號(hào)密級(jí)密級(jí)11759600581175960058西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性（或創(chuàng)新性）聲明學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性（或創(chuàng)新性）聲明秉承學(xué)校嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶W(xué)風(fēng)和優(yōu)良的科學(xué)道德，本人聲明所呈交的論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝中所羅列的內(nèi)容以外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果；也不包含為獲得西安電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書(shū)而使用過(guò)

3、的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中做了明確的說(shuō)明并表示了謝意。申請(qǐng)學(xué)位論文與資料若有不實(shí)之處，本人承擔(dān)一切的法律責(zé)任。本人簽名：日期:西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)關(guān)于論文使用授權(quán)的說(shuō)明關(guān)于論文使用授權(quán)的說(shuō)明本人完全了解西安電子科技大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識(shí)產(chǎn)權(quán)單位屬西安電子科技大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許查閱和借閱論文；學(xué)校可以公布論文的全部或部分