硒化鎘多晶合成與單晶生長(zhǎng)工藝的改進(jìn).pdf

1、在本實(shí)驗(yàn)中，首先，我們從熱力學(xué)原理出發(fā)，計(jì)算了硒化鎘(CdSe)合成反應(yīng)的反應(yīng)焓變，反應(yīng)熵變，Gibbs自由能，分析了配料的化學(xué)計(jì)量比，從熱力學(xué)角度論證了在中溫(～650℃)下直接液相合成高純CdSe的可能性，選擇了合理的合成工藝參數(shù)，進(jìn)行了多種Cd、Se配比的CdSe液相合成的實(shí)驗(yàn)，通過X射線粉末衍射法對(duì)合成產(chǎn)物進(jìn)行了分析表明得到了高純CdSe多晶，證實(shí)了熱力學(xué)分析的正確性。另外，在CdSe晶體的光學(xué)性能測(cè)試中還發(fā)現(xiàn)，用這種合成原料與

2、化學(xué)合成料生長(zhǎng)的晶體相比，在中紅外波段538cm-1處沒有吸收峰。分析表明，中溫液相合成的CdSe原料能有效地減小原料中的雜質(zhì)含量，提高了生長(zhǎng)晶體的品質(zhì)。其次，依據(jù)相平衡原理和穩(wěn)定界面生長(zhǎng)模型，確定了生長(zhǎng)符合化學(xué)計(jì)量比的CdSe單晶體的最佳溫度及以穩(wěn)定界面(平界面)生長(zhǎng)所需的晶體生長(zhǎng)速度。參照研究結(jié)果，對(duì)氣相法生長(zhǎng)CdSe單晶體的工藝過程進(jìn)行了改進(jìn)，調(diào)整了晶體生長(zhǎng)過程中的溫場(chǎng)和速度參數(shù)，首次成功地生長(zhǎng)了大直徑(φ20mm)、平界面、符合