硒化鎘（CdSe）單晶體生長原料的提純及其標(biāo)準(zhǔn)極圖的計算機實現(xiàn).pdf

1、CdSe作為一種有前途的制作室溫核輻射探測器的半導(dǎo)體材料，本研究室在充分調(diào)研的基礎(chǔ)上，對CdSe單晶體的生長及CdSe探測器的制備進行了深入的研究。　　CdSe是一種熔點較高，易揮發(fā)的物質(zhì)，用傳統(tǒng)的熔體法生長單晶難度較大，實驗證明，用氣相法生長CdSe單晶是一種簡單而有效的方法。但這種方法對原料的純度提出了很高的要求。在生長單晶和制作探測器之前，必須對原料提純，并且通過特定檢測手段對提純前原料和提純后原料中的雜質(zhì)含量進行分析，從而全面

2、掌握提純的效果，為后續(xù)工作提供雜質(zhì)的數(shù)據(jù)依據(jù)。　　通過設(shè)計合理的提純工藝，成功得到了適合生長CdSe單晶的原料，并通過改善提純方法，提高了原料的回收率，降低了生產(chǎn)成本。等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)對原料中的微量雜質(zhì)進行分析的結(jié)果表明采用這種方法所獲得的原料純度高，適用于生長大尺寸優(yōu)質(zhì)硒化鎘單晶?！　「哔|(zhì)量單晶的生長成功是制作合格探測器的關(guān)鍵一步，但是，從單晶體到探測器，中間還要經(jīng)過多步加工，對單晶體的切割就是其中重要的一步，而這一

3、步的完成需要得到晶體標(biāo)準(zhǔn)極射赤道平面圖的指導(dǎo)。對于不同的晶體，都有屬于自己的一套標(biāo)準(zhǔn)極圖，CdSe晶體也不例外，但是并無現(xiàn)成的CdSe晶體標(biāo)準(zhǔn)極圖可供參考，需要專門繪制。繪制標(biāo)準(zhǔn)極圖的過程傳統(tǒng)上是由手工完成的，耗時費力，并且針對每一種新的晶體都要重新繪制，非常繁瑣。為了能夠快速準(zhǔn)確地獲得CdSe晶體不同晶面的標(biāo)準(zhǔn)極圖，本文結(jié)合計算機技術(shù)，成功通過編程繪制出了所需的極圖，并可方便地推廣到其它一些晶體的應(yīng)用上，解決了晶體標(biāo)準(zhǔn)極圖繪制的問題。