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1、概述了電子電子器件的發(fā)展過(guò)程,分析了雙極—MOS功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀,說(shuō)明電力電子器件的發(fā)展難以滿(mǎn)足應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Υ蠊β省掝l率范圍的要求.詳細(xì)的研究分析了一種新型半導(dǎo)體功率器件—雙極壓控?fù)P效應(yīng)晶體管(BJMOSFET)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理,這種器件擁有BJT和MOS兩者的優(yōu)點(diǎn),具有功率大、頻率寬等特點(diǎn);并建立了BJMOSFET直流特性的三種解析模型、頻率特性(大信號(hào)和小信號(hào))模型和開(kāi)關(guān)特性模型,討論了其溫度特性和功率特性,得到了該器件直流、
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