課程設(shè)計(jì)---pnp雙極型晶體管的設(shè)計(jì)

1、<p><b>　　目 錄</b></p><p>　　1.設(shè)計(jì)任務(wù)及目標(biāo)………………………………………………………….....………1</p><p>　　2.課程設(shè)計(jì)的基本內(nèi)容…………………………………………………….…………1</p><p>　　2.1 pnp雙極型晶體管的設(shè)計(jì)……………………………………….…….….

2、…1</p><p>　　2.2 設(shè)計(jì)的主要內(nèi)容……………………………………………………….……1</p><p>　　3.晶體管工藝參數(shù)設(shè)計(jì)…………………………………………..…………...………2</p><p>　　3.1 晶體管的縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)……………..………………….……………..2</p><p>　　3.1.1 集電區(qū)雜質(zhì)

3、濃度的確定……………………………………………..2</p><p>　　3.1.2 基區(qū)及發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度……………………………………………..3</p><p>　　3.1.3 各區(qū)少子遷移率及擴(kuò)散系數(shù)的確定……………………….……….3</p><p>　　3.1.4 各區(qū)少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的計(jì)算……………………….……….....………4</p><

4、;p>　　3.1.5 集電區(qū)厚度的選擇…………………….…………………....….……4</p><p>　　3.1.6 基區(qū)寬度的計(jì)算……………………………………………….….…4</p><p>　　3.1.7 擴(kuò)散結(jié)深…………………………………………………...…..….…6 </p><p>　　3.1.8 表面雜質(zhì)濃度…………………………………………

5、..….….…….7</p><p>　　3.2晶體管的橫向設(shè)計(jì)…………………………………………….…….....……8</p><p>　　3.3工藝參數(shù)的計(jì)算…………………………………………………….….……8</p><p>　　3.3.1 基區(qū)磷預(yù)擴(kuò)時(shí)間 ……………………………………….….…..……8</p><p>　　3.3.2

6、基區(qū)磷再擴(kuò)散時(shí)間計(jì)算…………………………………..….………8</p><p>　　3.3.3 發(fā)射區(qū)硼預(yù)擴(kuò)時(shí)間計(jì)算…………………………....………………..9</p><p>　　3.3.4 發(fā)射區(qū)硼再擴(kuò)散時(shí)間計(jì)算………………………….…………...…..9</p><p>　　3.3.5 基區(qū)磷擴(kuò)散需要的氧化層厚度………………………………........10&

7、lt;/p><p>　　3.3.6 發(fā)射區(qū)硼擴(kuò)散需要的氧化層厚度…………………………………11</p><p>　　3.3.7 氧化時(shí)間的計(jì)算……………………………………………………11 </p><p>　　3.3.8設(shè)計(jì)參數(shù)總結(jié)…………………………………………………..……12</p><p>　　微電子器件與工藝課程設(shè)計(jì)報(bào)告</p&g

8、t;<p>　　——pnp雙極型晶體管的設(shè)計(jì)</p><p>　　1、課程設(shè)計(jì)目的與任務(wù)</p><p>　　《微電子器件與工藝課程設(shè)計(jì)》是有關(guān)微電子器件和工藝知識(shí)的綜合應(yīng)用的課程，使我們系統(tǒng)的掌握半導(dǎo)體器件，集成電路，半導(dǎo)體材料及工藝的有關(guān)知識(shí)的必不可少的重要環(huán)節(jié)。</p><p>　　目的是使我們?cè)谑煜ぞw管基本理論和制造工藝的基礎(chǔ)上，掌握晶體管的

9、設(shè)計(jì)方法。要求我們根據(jù)給定的晶體管電學(xué)參數(shù)的設(shè)計(jì)指標(biāo)，完成晶體管的縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)→晶體管的圖形結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)→材料參數(shù)的選取和設(shè)計(jì)等設(shè)計(jì)過(guò)程的訓(xùn)練，為從事微電子器件設(shè)計(jì)、集成電路設(shè)計(jì)打下必要的基礎(chǔ)。 </p><p>　　2、課程設(shè)計(jì)的基本內(nèi)容</p><p>　　2.1 pnp雙極型晶體管的設(shè)計(jì)</p><p>　　設(shè)計(jì)一個(gè)均勻摻雜的pnp型雙極晶體管，使T=300

10、K時(shí)，β=120。VCEO=15V,VCBO=80V.晶體管工作于小注入條件下，最大集電極電流為IC=5mA。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影響。</p><p>　　2.2 設(shè)計(jì)的主要內(nèi)容：</p><p>　?。?）了解晶體管設(shè)計(jì)的一般步驟和設(shè)計(jì)原則。</p><p>　?。?）根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo)選取材料，確定材料參數(shù)，如發(fā)射區(qū)摻雜濃度NE,，基區(qū)摻雜濃度NB，集

11、電區(qū)摻雜濃度NC，根據(jù)各區(qū)的摻雜濃度確定少子的擴(kuò)散系數(shù)，遷移率，擴(kuò)散長(zhǎng)度和壽命等。</p><p>　?。?）根據(jù)主要參數(shù)的設(shè)計(jì)指標(biāo)確定器件的縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)，如集電區(qū)厚度Wc，基區(qū)寬度Wb，發(fā)射極寬度We和擴(kuò)散結(jié)深Xjc，發(fā)射結(jié)結(jié)深等。</p><p>　　（4）根據(jù)結(jié)深確定氧化層的厚度，氧化溫度和氧化時(shí)間；雜質(zhì)預(yù)擴(kuò)散和再擴(kuò)散的擴(kuò)散溫度和擴(kuò)散時(shí)間。 </p><

12、p>　　3晶體管工藝參數(shù)設(shè)計(jì)</p><p>　　3.1 晶體管的縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)</p><p>　　雙極晶體管是由發(fā)射結(jié)和集電結(jié)兩個(gè)PN結(jié)組成的，晶體管的縱向結(jié)構(gòu)就是指在垂直于兩個(gè)PN結(jié)面上的結(jié)構(gòu)。因此，縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的任務(wù)有兩個(gè)：首先是選取縱向尺寸，即決定襯底厚度、集電區(qū)厚度、 基區(qū)厚度、 擴(kuò)散結(jié)深和等；其次是確定縱向雜質(zhì)濃度和雜質(zhì)分布，即確定集電區(qū)雜質(zhì)濃度、 襯底雜質(zhì)濃度、 表

13、面濃度,以及基區(qū)雜質(zhì)濃度分布等，并將上述參數(shù)轉(zhuǎn)換成生產(chǎn)中的工藝控制參數(shù)。</p><p>　　3.1.1 集電區(qū)雜質(zhì)濃度的確定</p><p>　　根據(jù)擊穿電壓與濃度的關(guān)系圖來(lái)讀出BVCBO=80V時(shí)的NC，如圖1</p><p>　　圖1 擊穿電壓與雜質(zhì)濃度的關(guān)系</p><p>　　從圖1中可以讀出，當(dāng)BVCBO=80V時(shí)，集電區(qū)雜質(zhì)濃度

14、NC=5×1015CM-3，對(duì)應(yīng)的電阻率為1.2Ω*CM,所以選用（111）晶向的P型硅。</p><p>　　3.1.2 基區(qū)及發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度</p><p>　　一般的晶體管各區(qū)的濃度要滿足NE>>NB>NC，故</p><p>　?。?）基區(qū)雜質(zhì)濃度取NB＝5×1016cm－3 。</p><p>

15、　?。?）發(fā)射雜質(zhì)濃度取NE＝5×1018cm－3 。</p><p>　　3.1.3 各區(qū)少子遷移率及擴(kuò)散系數(shù)的確定</p><p><b>　?。?）少子遷移率</b></p><p>　　少子的遷移率可以通過(guò)遷移率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系圖查出來(lái)。此關(guān)系圖如下圖2所示。</p><p>　　圖2 遷移率與雜質(zhì)濃

16、度的關(guān)系圖</p><p>　　通過(guò)圖2可以查出在300K時(shí)，集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)各自的少子的遷移率如下。</p><p>　　C區(qū)： Uc= 1298cm 2/v.s；</p><p>　　B區(qū)： UB =378 cm 2 /v.s；</p><p>　　E區(qū)： UE=130 cm 2/v.s；</p><p>　　

17、（2）各區(qū)少子擴(kuò)散系數(shù)的計(jì)算</p><p>　　根據(jù)愛因斯坦關(guān)系式可以求出各區(qū)少子的擴(kuò)散系數(shù)</p><p><b>　　C區(qū)：；</b></p><p><b>　　B區(qū)：；</b></p><p><b>　　E區(qū)：；</b></p><p>　　

18、3.1.4 各區(qū)少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的計(jì)算</p><p>　　由，其中少子壽命 ，，</p><p><b>　　；</b></p><p><b>　??；</b></p><p><b>　??； </b></p><p>　　3.1.5 集電區(qū)厚度的選擇&l

19、t;/p><p>　?。?）集電區(qū)厚度的最小值</p><p>　　集電區(qū)厚度的最小值由擊穿電壓決定。通常為了滿足擊穿電壓的要求，集電區(qū)厚度WC必須大于擊穿電壓時(shí)的耗盡層寬度，即 (是集電區(qū)臨界擊穿時(shí)的耗盡層寬度）。對(duì)于高壓器件，在擊穿電壓附近，集電結(jié)可用突變結(jié)耗盡層近似，因而</p><p>　　（2）集電區(qū)厚度的最大值</p><p>　　

20、的最大值受串聯(lián)電阻的限制。增大集電區(qū)厚度會(huì)使串聯(lián)電阻增加，飽和壓降增大，因此的最大值受串聯(lián)電阻限制。</p><p>　　考慮到實(shí)際情況最終確定。</p><p>　　3.1.6 基區(qū)寬度的計(jì)算</p><p>　?。?）基區(qū)寬度的最大值</p><p>　　對(duì)于低頻管，與基區(qū)寬度有關(guān)的主要電學(xué)參數(shù)是，因此低頻器件的基區(qū)寬度最大值由確定。當(dāng)發(fā)

21、射效率1時(shí)，電流放大系數(shù)，因此基區(qū)寬度的最大值可按下式估計(jì)： </p><p>　　為了使器件進(jìn)入大電流狀態(tài)時(shí)，電流放大系數(shù)仍能滿足要求，因而設(shè)計(jì)過(guò)程中取4。將數(shù)據(jù)代入上式中得：</p><p>　　所以基區(qū)寬度的最大值為5.7um。</p><p>　?。?）基區(qū)寬度的最小值</p&

22、gt;<p>　　為了保證器件正常工作，在正常工作電壓下基區(qū)絕對(duì)不能穿通。因此，對(duì)于高耐壓器件，基區(qū)寬度的最小值由基區(qū)穿通電壓決定。對(duì)于均勻基區(qū)晶體管，當(dāng)集電結(jié)電壓接近雪崩擊穿時(shí)，基區(qū)一側(cè)的耗盡層寬度為 </p><p>　　所以基區(qū)寬度的取值范圍為：0.436um<WB<5.7um </p><p>　　（3）基區(qū)準(zhǔn)中性寬度的計(jì)算</p><

23、p>　　根據(jù)設(shè)計(jì)要求給出的電流放大倍數(shù)β=120以及公式</p><p>　　可以求出基區(qū)的準(zhǔn)中性寬度。W=3.46um </p><p>　?。?）基區(qū)耗盡層寬度的計(jì)算</p><p>　?、賓b結(jié)基區(qū)邊的耗盡層寬度的計(jì)算</p><p>　　先求出eb結(jié)的內(nèi)建電勢(shì)</p><p>　　再求出eb結(jié)基區(qū)邊的耗盡

24、層寬度</p><p>　?、赾b結(jié)基區(qū)邊的耗盡層寬度的計(jì)算</p><p>　　先求出cb結(jié)的內(nèi)建電勢(shì)</p><p>　　再求出cb結(jié)基區(qū)邊的耗盡層寬度</p><p><b>　　(5)總的基區(qū)寬度</b></p><p>　　WB=W+XnEB+XpCB＝3.46+0.155+0.0419

25、=3.66um</p><p>　　符合之前計(jì)算出來(lái)的基區(qū)寬度的范圍，但是這樣的寬度相對(duì)應(yīng)的結(jié)深過(guò)大，故根據(jù)經(jīng)驗(yàn)值W=4um</p><p>　　3.1.7 擴(kuò)散結(jié)深</p><p>　　在晶體管的電學(xué)參數(shù)中，擊穿電壓與結(jié)深關(guān)系最為密切，它隨結(jié)深變淺，曲率半徑減小而降低，因而為了提高擊穿電壓，要求擴(kuò)散結(jié)深一些。但另一方面，結(jié)深卻又受條寬限制，當(dāng)發(fā)射極條寬條件時(shí)，擴(kuò)散

26、結(jié)面仍可近似當(dāng)做平面結(jié)。但當(dāng)SE隨著特征頻率的提高，基區(qū)寬度WB變窄而減小到不滿足SE>>Xj時(shí)，發(fā)射結(jié)變?yōu)樾D(zhuǎn)橢圓面旋轉(zhuǎn)橢圓面，如圖3所示。發(fā)射結(jié)集電結(jié)兩個(gè)旋轉(zhuǎn)橢圓面之間的基區(qū)體積大于平面結(jié)之間的基區(qū)體積，因而基區(qū)積累電荷增多，基區(qū)渡越時(shí)間增長(zhǎng)。按照旋轉(zhuǎn)橢圓的關(guān)系，可以解出當(dāng)SE與Xj接近時(shí)，有效特征頻率為 式中 ，因此，愈大，有效特征頻率愈低。圖3也明顯表明，越大，則基區(qū)積累電荷比平面結(jié)時(shí)增加越多。由于基區(qū)積累電荷增加

27、，基區(qū)渡越時(shí)間增長(zhǎng)，有效特征頻率就下降，因此，通常選取</p><p>　　， 則：Xje＝WB＝4um</p><p>　　， 則：Xjc＝2WB＝8um</p><p>　　圖 3 發(fā)射極條寬對(duì)結(jié)面形狀的影響</p><p>　　3.1.8 表面雜質(zhì)濃度</p><p>　　結(jié)構(gòu)尺寸選定的情況下，發(fā)射區(qū)

28、和基區(qū)表面雜志濃度及其雜志分布的情況主要影響晶體管的發(fā)射效率和基區(qū)電阻。減小基區(qū)電阻要求提高基區(qū)平均雜質(zhì)濃度和表面濃度。同時(shí)，提高基區(qū)平均雜質(zhì)濃度，也有利于減小基區(qū)寬變效應(yīng)和基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。提高發(fā)射效率則要求減小，增大發(fā)射區(qū)和基區(qū)濃度差別。為了保證在大電流下，晶體管仍具有較高的發(fā)射效率，要求發(fā)射區(qū)和基區(qū)表面濃度相差兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上，即。在這個(gè)晶體管設(shè)計(jì)中取</p><p>　　=1019 cm-3左右，則=102

29、1 cm-3。</p><p>　　3.2晶體管的橫向設(shè)計(jì)</p><p>　　無(wú)特別要求，取有效的，，。</p><p>　　在這個(gè)pnp雙極晶體管的設(shè)計(jì)中，襯底選取p型硅襯底，晶向?yàn)椋?11）晶向。</p><p>　　3.3工藝參數(shù)的計(jì)算</p><p>　　3.3.1 基區(qū)磷預(yù)擴(kuò)時(shí)間 </p>&

30、lt;p>　　首先先列出表1，是計(jì)算擴(kuò)散系數(shù)時(shí)所需要用到的數(shù)據(jù)，如下表一所示。</p><p>　　表1：硼、磷元素在硅中的D0與激活能E</p><p>　　注：適用溫度范圍（oC）為:800~1350 </p><p>　　基區(qū)磷的預(yù)擴(kuò)溫度為1000 ，即1273K。</p><

31、p><b>　　擴(kuò)散系數(shù)： </b></p><p>　　通過(guò)單位表面積擴(kuò)散到硅片內(nèi)部的雜質(zhì)數(shù)量： </p><p>　　根據(jù)公式可解得在特定溫度下擴(kuò)散的時(shí)間：</p><p>　　3.3.2基區(qū)磷再擴(kuò)散時(shí)間計(jì)算</p><p>　　基區(qū)磷的預(yù)擴(kuò)溫度為1300 ，即1573K。</p><p&

32、gt;　　硅襯底中原有雜質(zhì)的濃度：</p><p>　　磷在硅中的擴(kuò)散系數(shù)為：</p><p>　　由于預(yù)擴(kuò)散的結(jié)深很淺，可將它忽略，故再擴(kuò)散結(jié)深：</p><p><b>　　（2）</b></p><p>　　又所以代入（2）式可得</p><p><b>　　化簡(jiǎn)得</b&g

33、t;</p><p>　　解得基區(qū)磷主擴(kuò)時(shí)間為：</p><p>　　t=7166s=2h</p><p>　　3.3.3 發(fā)射區(qū)硼預(yù)擴(kuò)時(shí)間計(jì)算</p><p>　　發(fā)射區(qū)硼預(yù)擴(kuò)散溫度為1000，即1273K</p><p>　　硼在硅中的擴(kuò)散系數(shù)為：</p><p>　　發(fā)射區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散時(shí)的總的

34、雜質(zhì)數(shù)量：</p><p>　　發(fā)射區(qū)表面雜質(zhì)濃度：</p><p>　　根據(jù)公式可解得在特定溫度下擴(kuò)散的時(shí)間：</p><p>　　3.3.4 發(fā)射區(qū)硼再擴(kuò)散時(shí)間計(jì)算</p><p>　　發(fā)射區(qū)硼再擴(kuò)散溫度為1200，即1473K</p><p>　　在1473K時(shí)，硼在硅中的擴(kuò)散系數(shù)為：</p>&l

35、t;p>　　由于預(yù)擴(kuò)散的結(jié)深很淺，可將它忽略，故再擴(kuò)散結(jié)深：</p><p><b>　　化簡(jiǎn)上式可得：</b></p><p>　　解得發(fā)射區(qū)硼再擴(kuò)散時(shí)間：</p><p>　　t=6571s=1.83h</p><p>　　3.3.5 基區(qū)磷擴(kuò)散需要的氧化層厚度</p><p>　　表2

36、：二氧化硅中磷和硼的與</p><p>　　氧化層厚度的最小值由發(fā)射區(qū)主擴(kuò)溫度為1000，預(yù)擴(kuò)時(shí)間為209S,磷元素在硅中的DO與激活能E</p><p>　　為了便于后續(xù)的氧化時(shí)間的計(jì)算及濕法干法的分配，最終取基區(qū)磷擴(kuò)散需要的氧化層厚度為。</p><p>　　3.3.6 發(fā)射區(qū)硼擴(kuò)散需要的氧化層厚度</p><p>　　氧化層厚度的最小值

37、由發(fā)射區(qū)主擴(kuò)溫度為1100，預(yù)擴(kuò)時(shí)間為1233S</p><p>　　由于最小氧化層厚度小于，考慮到生產(chǎn)的實(shí)際情況，最終取發(fā)射區(qū)硼擴(kuò)散需要的氧化層厚度為。</p><p>　　3.3.7 氧化時(shí)間的計(jì)算</p><p>　　表3 1100℃的干氧和濕氧的氧化速率常數(shù)</p><p>　　表4 1200℃的干氧和濕氧的氧化速率常數(shù)</

38、p><p>　?。?）基區(qū)氧化時(shí)間的計(jì)算</p><p>　　以上已經(jīng)計(jì)算出基區(qū)磷擴(kuò)散需要的氧化層厚度為。</p><p>　　根據(jù)合適的氧化時(shí)間，將分配：先干氧500，然后濕氧5000，最后再干氧500</p><p><b>　　干氧氧化：</b></p><p><b>　　解得t=1

39、1min</b></p><p><b>　　濕氧氧化：</b></p><p><b>　　解得t=36min</b></p><p>　?。?）發(fā)射區(qū)氧化時(shí)間計(jì)算</p><p>　　以上已經(jīng)計(jì)算出發(fā)射區(qū)硼擴(kuò)散需要的氧化層厚度為。</p><p>　　根據(jù)合適

40、的氧化時(shí)間，將分配：先干氧1000，然后濕氧5000，最后再干氧1000</p><p><b>　　干氧氧化：</b></p><p><b>　　解得t=17min</b></p><p><b>　　濕氧氧化：</b></p><p>　　解得t=22.9min</

41、p><p>　　3.3.8設(shè)計(jì)參數(shù)總結(jié)</p><p>　　整個(gè)pnp雙極晶體管設(shè)計(jì)的相關(guān)參數(shù)通過(guò)表5總結(jié)如下。</p><p>　　表5 pnp設(shè)計(jì)參數(shù)</p><p><b>　　6總結(jié)</b></p><p>　　通過(guò)兩周的課程設(shè)計(jì)學(xué)習(xí)，我對(duì)pnp雙極型晶體管有了新的認(rèn)識(shí)，我再這個(gè)學(xué)習(xí)過(guò)程中重

42、新學(xué)習(xí)了關(guān)于晶體管從設(shè)計(jì)到制造的過(guò)程通過(guò)學(xué)習(xí)我認(rèn)識(shí)到了自己的不足。</p><p>　　剛開始時(shí)我看到題目覺得什么都不知道，什么都不會(huì)做，不知道從哪里入手，只能乖乖的從書本中從頭開始學(xué)，經(jīng)過(guò)兩天的學(xué)習(xí)，我把以前的知識(shí)又又寵重新?lián)炱饋?lái)了，但在做課程設(shè)計(jì)的時(shí)候，我發(fā)現(xiàn)還是有些東西我沒辦法理解，于是我就拿著書本，拿著問題去找老師，在老師的教導(dǎo)下我明白了，這些問題的答案，而且從問題中學(xué)到了知識(shí)。開始的時(shí)候工藝參數(shù)的設(shè)定我

43、認(rèn)為很重要，因?yàn)槿绻_始的參數(shù)不準(zhǔn)確就會(huì)影響后面的計(jì)算；在查閱了無(wú)數(shù)的資料后，在很多次失敗后，經(jīng)過(guò)了無(wú)數(shù)的計(jì)算后，我們完成了pnp雙極晶體管的理論設(shè)計(jì)工作，在一次次的代值近似計(jì)算后，得出的結(jié)論顯示設(shè)計(jì)符合工藝的制造要求。</p><p>　　這次課程設(shè)計(jì)然我了解到了各個(gè)參數(shù)與工藝在設(shè)計(jì)生產(chǎn)中的大概要求，同時(shí)了解到了整個(gè)工藝的流程，通過(guò)這次學(xué)習(xí)我學(xué)會(huì)了很多，知道了自己的不足，只是學(xué)習(xí)了知識(shí)沒有學(xué)會(huì)如何運(yùn)用自己的知識(shí)

44、，而且知識(shí)學(xué)習(xí)的不牢固，開始的時(shí)候什么都忘了，學(xué)習(xí)了兩天后才回憶起來(lái)，同時(shí)只知道了知識(shí)是什么，不知道怎么用，在參數(shù)的選擇上開始的時(shí)候選的不好到了后面老是出錯(cuò)，問題也很多，后來(lái)修改了一些內(nèi)容才完成了課題，所以以后的學(xué)習(xí)中要不但學(xué)習(xí)知識(shí)還要學(xué)習(xí)如何運(yùn)用知識(shí)；通過(guò)這次學(xué)習(xí)我學(xué)到了很多，體會(huì)到了知識(shí)的力量，體會(huì)到了運(yùn)用知識(shí)時(shí)的快感。</p><p>　　最后很感謝xx老師，還有同組同學(xué)的耐心指導(dǎo)，在這次設(shè)計(jì)中也鍛煉了我思

45、考問題和解決問題的能力，我受益匪淺。</p><p><b>　　7參考文獻(xiàn)</b></p><p>　　集成電路制造技術(shù)，電子工業(yè)出版社，王蔚等著</p><p>　　半導(dǎo)體物理，電子工業(yè)出版社，劉恩科等著</p><p><b>　　微電子器件物理</b></p><p>

46、;　　半導(dǎo)體材料，科學(xué)出版社，楊樹人等編</p><p>　　微電子工藝基礎(chǔ)，李薇薇等編，化學(xué)工業(yè)出版社</p><p>　　半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)（器件物理）R.F.Pierret 電子工業(yè)出版社</p><p>　　半導(dǎo)體制造基礎(chǔ) 施敏著， 人民郵電出版社</p><p>　　晶體管原理與設(shè)計(jì)，北京大學(xué)電子儀器廠半導(dǎo)體專業(yè)編，科學(xué)出版社</