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文檔簡介
1、本文主要進行晶體管建模技術(shù)的研究，其主要目的是建立GaAsFET大信號非線性電路模型，給出一個計算機非線性仿真模擬的平臺。論文首先從傳統(tǒng)的非線性的表征方法入手，對傳統(tǒng)的非線性的表征方法進行了歸納總結(jié)。在對傳統(tǒng)的非線性的表征方法進行總結(jié)后，論文提出一種新的非線性表征方法一非線性散射函數(shù)，并對其性質(zhì)進行了一些試探性的討論。 在論文里還討論了GaAsFET小信號模型參數(shù)的提取，對已有的建模方法進行了學(xué)習(xí)和研究，討論了優(yōu)化過程中目標函數(shù)
2、的選取等問題，提出了一種復(fù)雜電路S參數(shù)的計算方法，成功地建立了GaAsFET的小信號模型。在小信號模型的基礎(chǔ)上，討論了晶體管大信號非線性建模。通過脈沖電流法測量GaAsFET的I—V特性，完成GaAsFET大信號非線性模型的建立。在建模的過程中，對原有的電流源模型進行了修正，在不增加高次項的基礎(chǔ)得到一種新的修正模型，提高了擬合精度。這種新的模型能夠更準確的描述晶體管的大信號特性。對于晶體管大信號的非線性分析有很大的作用和幫助。下一步我們
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