晶體管建模技術(shù)的研究.pdf

1、本文主要進(jìn)行晶體管建模技術(shù)的研究，其主要目的是建立GaAsFET大信號(hào)非線性電路模型，給出一個(gè)計(jì)算機(jī)非線性仿真模擬的平臺(tái)。論文首先從傳統(tǒng)的非線性的表征方法入手，對(duì)傳統(tǒng)的非線性的表征方法進(jìn)行了歸納總結(jié)。在對(duì)傳統(tǒng)的非線性的表征方法進(jìn)行總結(jié)后，論文提出一種新的非線性表征方法一非線性散射函數(shù)，并對(duì)其性質(zhì)進(jìn)行了一些試探性的討論。 在論文里還討論了GaAsFET小信號(hào)模型參數(shù)的提取，對(duì)已有的建模方法進(jìn)行了學(xué)習(xí)和研究，討論了優(yōu)化過程中目標(biāo)函數(shù)

2、的選取等問題，提出了一種復(fù)雜電路S參數(shù)的計(jì)算方法，成功地建立了GaAsFET的小信號(hào)模型。在小信號(hào)模型的基礎(chǔ)上，討論了晶體管大信號(hào)非線性建模。通過脈沖電流法測(cè)量GaAsFET的I—V特性，完成GaAsFET大信號(hào)非線性模型的建立。在建模的過程中，對(duì)原有的電流源模型進(jìn)行了修正，在不增加高次項(xiàng)的基礎(chǔ)得到一種新的修正模型，提高了擬合精度。這種新的模型能夠更準(zhǔn)確的描述晶體管的大信號(hào)特性。對(duì)于晶體管大信號(hào)的非線性分析有很大的作用和幫助。下一步我們