晶體管置換原則

1、晶體管置換原則晶體管置換原則[日期：20060702]來源：網絡收集作者：佚名[字體：大中小]晶體管的置換原則可概括為三條：即類型相同、特性相近、外形相似。一、類型相同１材料相同。即鍺管置換鍺管，硅管置換硅管。２極性相同。即ＮＰＮ型管置換ＮＰＮ型管，ＰＮＰ型管置換ＰＮＰ型管。二、特性相近用于置換的晶體管應與原晶體管的特性相近，它們的主要參數值及特性曲線應相差不多。晶體管的主要參數近２０個，要求所有這些參數都相近，不但困難，而且沒有必要。

2、一般來說，只要下述主要參數相近，即可滿足置換要求。１集電極最大直流耗散功率（ＰCM）一般要求用ＰCM與原管相等或較大的晶體管進行置換。但經過計算或測試，如果原晶體管在整機電路中實際直流耗散功率遠小于其ＰCM，則可以用ＰCM較小的晶體管置換。２集電極最大允許直流電流（ＩCM）一般要求用ＩCM與原管相等或較大的晶體管進行置換。世界上不同廠家關于ＩCM的規(guī)定有所不同，有時差別很大。常見的有以下幾種規(guī)定：（１）根據集電極引線允許通過的最大電流值

3、確定ＩCM。這個數值可能很大，例如，一只ＰCM＝２００ｍＷ的晶體管，其ＩCM可能會超過１Ａ。（２）根據ＰCM確定ＩCM，即ＰCM＝ＩCMＵCE確定ＩCM。這個規(guī)定下的ＰCM值比普通晶體管較小，比開關管較大，例如ＰCM都是１０Ｗ的普通晶體管２ＳＣ２２０９和開關管２ＳＣ２２１４，其ＩCM值卻分別為１５Ａ和４Ａ。（３）根據晶體管參數（飽和壓降、電流放大系數等）允許變化的極限值確定ＩCM。例如３ＤＤ１０３Ａ晶體管的ＩCM是按其β值下降到實測值的

4、１／３時確定的（ＩCM＝３Ａ）。在置換時應區(qū)別以上三種情況，進行具體的選擇。３擊穿電壓用于置換的晶體管，必須能夠在整機中安全地承受最高工作電壓。晶體管的擊穿電壓參數主要有以下５個：（１）ＢＶCBO：集電極—基極擊穿電壓。它是指發(fā)射極開路，集電極電流ＩＣ為規(guī)定值時，集電極—基極間的電壓降（該電壓降稱為對應的擊穿電壓，以下的相同）。（２）ＢＶCEO：集電極—發(fā)射極擊穿電壓。它是指基極開路，集電極電流ＩＣ為規(guī)定值時，集電極—發(fā)射極的電壓降。（

5、３）ＢＶCES：基極—發(fā)射極短路，集電極—發(fā)射極的擊穿電壓。（４）ＢＶCER：基極—發(fā)射極串聯電阻，集電極—發(fā)射極的電壓降。（５）ＢＶEBO：集電極開路，發(fā)射極—基極的擊穿電壓。在晶體管置換中，主要考慮ＢＶCBO和ＢＶCEO，對于開關晶體管還應考慮ＢＶEBO。一般來說，同一晶體管的ＢＶCBO＞ＢＶCEO。通常要求用于置換的晶體管，其上述三個擊穿電壓應不小于原晶體管對應的三個擊穿電壓。４頻率特性晶體管頻率特性參數，常用的有以下４個：（１）

6、特征頻率Ｆｔ：它是指在測試頻率足夠高時，使晶體管共發(fā)射極電流放大系數β＝１時的頻率。（２）β截止頻率ｆβ：在共發(fā)射極電路中，輸出端交流短路時，電流放大系數β值，下降到低頻（１ｋＨｚ）β值７０７％（３ｄＢ）時的頻率。（３）α截止頻率ｆα：在共基極電路中，輸出端交流短路時，電流放大系數α值下降到低頻（１ｋＨｚ）β值７０７％（３ｄＢ）時的頻率。（４）最高振蕩頻率ｆｍａｘ：當晶體管的功率增益為１時的工作頻率。在置換晶體管時，主要考慮ＦT與ｆβ。

7、通常要求用于置換的晶體管，其ＦT與ｆβ應不小于原晶體管對應的ＦT與ｆβ。５其他參數除以上主要參數外，對于一些特殊的晶體管，在置換時還應考慮以下參數：（１）對于低噪聲晶體管，在置換時應當用噪聲系數較小或相等的晶體管。（２）對于具有自動增益控制性能的晶體管，在置換時應當用自動增益控制特性相同的晶體管。（３）對于開關管，在置換時還要考慮其開關參數。三、外形相似小功率晶體管一般外形均相似，只要各個電極引出線標志明確，且引出線排列順序與待換管一致