單結(jié)晶體管90258

1、它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。其結(jié)構(gòu)、符號(hào)和等效電呼如圖1所示。圖1、單結(jié)晶體管一、單結(jié)晶體管的特性一、單結(jié)晶體管的特性從圖1可以看出，兩基極b1與b2之間的電阻稱(chēng)為基極電阻：rbb=rb1rb2式中：rb1第一基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻，其數(shù)值隨發(fā)射極電流ie而變化，rb2為第二基極與發(fā)射

2、結(jié)之間的電阻，其數(shù)值與ie無(wú)關(guān)；發(fā)射結(jié)是PN結(jié)，與二極管等效。若在兩面三刀基極b2、b1間加上正電壓Vbb，則A點(diǎn)電壓為：VA=[rb1(rb1rb2)]vbb=(rb1rbb)vbb=ηVbb式中：η稱(chēng)為分壓比，其值一般在0.30.85之間，如果發(fā)射極電壓VE由零逐漸增加，就可測(cè)得單結(jié)晶體管的伏安特性，見(jiàn)圖2圖2、單結(jié)晶體管的伏安特性（1）當(dāng)Ve＜ηVbb時(shí)，發(fā)射結(jié)處于反向偏置，管子截止，發(fā)射極只有很小的漏電流Iceo。（2）當(dāng)Ve≥

3、ηVbbVDVD為二極管正向壓降（約為0.7伏），PN結(jié)正向?qū)?，Ie顯著增加，rb1阻值迅速減小，Ve相應(yīng)下降，這種電壓隨電流增加反而下降的特性，稱(chēng)為負(fù)阻特性。管子由截止區(qū)進(jìn)入負(fù)阻區(qū)的臨界P稱(chēng)為峰點(diǎn)，與其對(duì)就的發(fā)射極電壓和電流，分別稱(chēng)為峰點(diǎn)電壓Vp和峰點(diǎn)電流Ip和峰點(diǎn)電流Ip。Ip是正向漏電流，它是使單結(jié)晶體管導(dǎo)通所需的最小電流，顯然Vp=ηVbb（3）隨著發(fā)射極電流ie不斷上升，Ve不斷下降，降到V點(diǎn)后，Ve不在降了，這點(diǎn)V稱(chēng)為谷點(diǎn)

4、，與其對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電壓和電流，稱(chēng)為谷點(diǎn)電壓，Vv和谷點(diǎn)電流Iv。（4）過(guò)了V點(diǎn)后，發(fā)射極與第一基極間半導(dǎo)體內(nèi)的載流子達(dá)到了飽和狀態(tài)，所以u(píng)c繼續(xù)增加時(shí)，ie便緩慢地上升，顯然Vv是維持單結(jié)晶體管導(dǎo)通的最小發(fā)射極電壓，如果Ve＜Vv，管子重新截止。二、單結(jié)晶體管的主要參數(shù)二、單結(jié)晶體管的主要參數(shù)（1）基極間電阻Rbb發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，基極b1、b2之間的電阻，一般為210千歐，其數(shù)值隨溫度上升而增大。（2）分壓比η由管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的常數(shù)，一

5、般為0.30.85。（3）eb1間反向電壓Vcb1b2開(kāi)路，在額定反向電壓Vcb2下，基極b1與發(fā)射極e之間的反向耐壓。（4）反向電流Ieob1開(kāi)路，在額定反向電壓Vcb2下，eb2間的反向電流。（5）發(fā)射極飽和壓降Veo在最大發(fā)射極額定電流時(shí)，eb1間的壓降。（6）峰點(diǎn)電流Ip單結(jié)晶體管剛開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)，發(fā)射極電壓為峰點(diǎn)電壓時(shí)的發(fā)射極電流單結(jié)晶體管張馳振蕩電路的工作原理利用單結(jié)晶體管，可以構(gòu)成一個(gè)自激振蕩電路，也稱(chēng)為張馳振蕩器。這個(gè)電路雖

6、然不能直接作為可控整流的觸發(fā)電路，但是由于實(shí)際的觸發(fā)電路與該電路的工作原理非常接近，故作為過(guò)渡，我們先來(lái)介紹這個(gè)電路的工作原理。電路的結(jié)構(gòu)及工作波形如圖7.13所示。其中，U是電路的直流工作電源；R1和R2是兩個(gè)外接電阻（不是管內(nèi)的RB1和RB2），且數(shù)值較小。設(shè)時(shí)間t＝0時(shí)，uc＝uE＝0伏，單結(jié)晶體管截止，B2—B1間僅有較小的電流通過(guò)，因此在外電阻R1上產(chǎn)生的輸出壓降uo也較小，如圖所示。這時(shí)，工作電源將通過(guò)電阻R向電容C充電，使

7、uc指數(shù)上升。當(dāng)uc達(dá)到單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電壓UP時(shí)（由于有R1的影響，實(shí)際上要略大于UP值），單結(jié)晶體管突然導(dǎo)通，為電容提供了一個(gè)時(shí)間常數(shù)較小的放電回路，電壓uc和放電電流iE開(kāi)始迅速指數(shù)下降。當(dāng)uc降至單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓UV時(shí)（實(shí)際上要略大于UV值）單結(jié)晶體管重又截止，但緊接著電源又開(kāi)始重新對(duì)電容充電。這樣周而復(fù)始，循環(huán)不已，從而在R1上形成了一個(gè)指數(shù)下降的尖脈沖序列。如圖7.13所示。在一定范圍內(nèi)改變電阻R的大小，可改變電容充電的