SiGe異質結雙極晶體管研究——一種平面集成多晶發(fā)射極SiGe異質結晶體管部分工藝因素影響的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著現(xiàn)代移動通信以及微波通信的發(fā)展，人們對半導體器件的高頻以及低噪聲等性能要求日益提高。傳統(tǒng)的硅材料器件已經無法滿足這些性能上新的要求，而GaAs 器件雖然可以滿足這些性能，不過它的高成本也讓人望而卻步。鍺硅異質結雙極晶體管的高頻以及噪聲性能大大優(yōu)于硅雙極晶體管，可媲美 GaAs 器件，而且它還可以與傳統(tǒng)的硅工藝兼容，大大降低制造成本，所以鍺硅異質結雙極晶體管在未來的移動通信等領域具有非常廣闊的應用前景。 本文的一個重點是對鍺硅

2、異質結雙極晶體管的器件結構做了分類介紹并對器件結構設計進行系統(tǒng)的整理總結。 本文的另一個重點是通過仿真以及實驗分別驗證了砷在 810℃的低溫工藝下的激活率跟 1000℃下一致，在鍺硅基區(qū)中摻雜碳對硼擴散的抑制作用以及采用選擇性集電極注入提高器件性能的作用。 最后本文用軟件對 SiGe HBT 的結構和性能進行了模擬，并結合實際的工藝條件對器件結構進行優(yōu)化設計。研制了一種平面集成多晶發(fā)射極鍺硅異質結晶體管。經測量，在室溫下

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