SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBT）研究與設(shè)計(jì).pdf_第1頁
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1、該論文的研究課題是SiGe HBT器件的設(shè)計(jì),主要工作包括兩個(gè)方面:一,晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì);二,基區(qū)緩沖層的設(shè)計(jì).首先,我們利用ISE TCAD軟件對(duì)SiGe HBT的結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行了模擬,并結(jié)合實(shí)際的工藝條件對(duì)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)[3].理論表明,在縱向結(jié)構(gòu)不變的情況下,如果提高工藝水平,減小器件的橫向尺寸,其性能就可以得到大幅度的提高.因此我們?cè)谠袠悠返幕A(chǔ)上對(duì)光刻版圖重新進(jìn)行了設(shè)計(jì).該課題研究的另一個(gè)重點(diǎn)是SiGe HBT緩沖層的設(shè)計(jì)

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