SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管技術(shù)研究.pdf

1、通過(guò)在Si BJT基區(qū)引入Ge，形成了基區(qū)禁帶寬度較窄的SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。與傳統(tǒng)的Si雙極型晶體管相比，它具有更高的頻率特性，因而在微波高頻段工作有很大的潛力。SiGe技術(shù)具有GaAs高頻低功耗的優(yōu)點(diǎn)，與Si工藝兼容因此工藝成本低，并且其噪聲性能優(yōu)于Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體器件，在高速和微波領(lǐng)域具有廣泛用途。
　　本課題主要研究SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管設(shè)計(jì)與工藝實(shí)現(xiàn)。以0.5μmSi基微波器件研制生產(chǎn)線為平臺(tái)進(jìn)行SiGe HBT

2、的研發(fā)。論文主要闡述以下幾個(gè)方面內(nèi)容：研究SiGe材料特性及其材料制備的方法；研究SiGe HBT器件特性，通過(guò)分析完成SiGe HBT集電區(qū)、基區(qū)、發(fā)射區(qū)的縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及橫向設(shè)計(jì)；通過(guò)工藝實(shí)驗(yàn)，如SiGe自終止腐蝕方法，PtSi合金形成良好歐姆接觸等，確定了工藝方案并進(jìn)行了流片，解決了流片中存在的工藝問(wèn)題并進(jìn)行了優(yōu)化，從而提高了器件特性。
　　通過(guò)工藝流片，完成了SiGe HBT器件的試制，經(jīng)過(guò)封裝測(cè)試，SiGe HBT器件直