5GHz硅雙極晶體管的研制.pdf

1、本文主要對高頻器件多晶硅發(fā)射極工藝進(jìn)行了研究，對其制作工藝、主要工藝參數(shù)進(jìn)行了研究和優(yōu)化，并通過優(yōu)化結(jié)果，成功地開發(fā)出一套完整的1μm制備微波晶體管工藝。主要的工作和研究成果包括： 1.根據(jù)設(shè)計指標(biāo)對微波晶體管的縱向結(jié)構(gòu)和橫向結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計，并根據(jù)所設(shè)計的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了理論計算驗證。 2.利用減壓外延在極高濃度的摻砷襯底上制備了2μm均勻的外延層，形成極小串聯(lián)電阻的集電極結(jié)構(gòu)。 3.采用高溫Si3N4作為介質(zhì)層，減小了

2、漏電流。 4.采用基區(qū)發(fā)射區(qū)全注入結(jié)構(gòu)形成了極小的基區(qū)寬度并均勻可調(diào)，均勻的多晶硅發(fā)射極緩沖層，能形成均勻的淺發(fā)射極，為制作高頻器件奠定了基礎(chǔ)。對器件的濃硼基區(qū)，淡硼基區(qū)以及發(fā)射極的注入條件、RTA條件等工藝進(jìn)行研究和優(yōu)化，根據(jù)器件各項性能的綜合考慮，設(shè)計了一套合理的雙極制作工藝。 5.深入研究了金屬鋁的細(xì)線條干法刻蝕，通過改變反應(yīng)氣體的流量、比例及RF功率、磁場的試驗摸索，找到了最佳的干法刻蝕Al工藝。 6.通