異質(zhì)結(jié)雙極晶體管器件物理和制備及其與光電探測(cè)器的單片集成.pdf

1、本文對(duì)異質(zhì)結(jié)雙極晶體管器件物理和制備及其與光電探測(cè)器的單片集成進(jìn)行了研究。成果如下： (1)深入研究了因摻雜引起的異質(zhì)結(jié)能帶突變量△EC、△EV的變化對(duì)HBT器件電學(xué)性能的影響。得出結(jié)論是：為了精確的器件模擬計(jì)算和優(yōu)化設(shè)計(jì)，考慮能帶變窄(BGN)在導(dǎo)帶、價(jià)帶上分配比例隨摻雜濃度不同而變化的更準(zhǔn)確模型對(duì)突變HBT器件性能的分析是非常重要的。 (2)突變異質(zhì)結(jié)界面處準(zhǔn)費(fèi)密能級(jí)是不連續(xù)的，作者首次指出重?fù)诫s將使異質(zhì)結(jié)界面兩側(cè)準(zhǔn)

2、費(fèi)密能級(jí)斷裂量發(fā)生改變，并對(duì)一典型結(jié)構(gòu)的重?fù)诫s突變HBT準(zhǔn)費(fèi)密能級(jí)斷裂量的改變值進(jìn)行了計(jì)算。研究表明：準(zhǔn)費(fèi)密能級(jí)斷裂量的變化將對(duì)HBT的空間電荷區(qū)復(fù)合電流產(chǎn)生影響。 (3)基于熱場(chǎng)發(fā)射-擴(kuò)散模型，在電流連續(xù)性方程中考慮空間電荷區(qū)的復(fù)合電流、在突變異質(zhì)結(jié)界面處使用一般性的電流邊界條件方程(考慮界面兩側(cè)能帶狀態(tài)密度不同、有效質(zhì)量差和簡(jiǎn)并效應(yīng)等)的基礎(chǔ)上，推出了描述突變HBT載流子輸運(yùn)特性的新解析模型方程。利用此方程，可以更精確地對(duì)不