InGaAs-InP異質(zhì)結(jié)光晶體管的器件設(shè)計(jì)與理論研究.pdf

1、異質(zhì)結(jié)光晶體管（Hctcrojunction Phototransistor），作為一種光電探測器件，較之光敏二極管采用了異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，并將其放大功能進(jìn)行了集成，擁有了較高的光增益和系統(tǒng)性噪比，較小的暗電流（無光照時(shí)流經(jīng)晶體管的電流），較寬的截止頻率，在光纖通訊和光纖傳感中廣泛應(yīng)用。本論文首先詳細(xì)分析了異質(zhì)結(jié)材料的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)和性能，然后闡述了異質(zhì)結(jié)材料的研究進(jìn)展，工作原理，理論基礎(chǔ)，器件工藝，在此基礎(chǔ)上采用異質(zhì)結(jié)材料，進(jìn)行光晶體管的設(shè)計(jì)，

2、創(chuàng)新性的設(shè)計(jì)了InGaAs-InP性能優(yōu)化的異質(zhì)結(jié)光晶體管，其性能較之通常的光三極管易于實(shí)現(xiàn)微弱光相位信號(hào)的檢測，并為光電集成（OEIC）的設(shè)計(jì)提供了先決條件和理論基礎(chǔ)。最后對(duì)該設(shè)計(jì)進(jìn)行了分析、計(jì)算和仿真。創(chuàng)新性的提出了一種用Medici軟件對(duì)異質(zhì)結(jié)光晶體管進(jìn)行器件仿真的方法。按照本論文提出的工藝方法、器件結(jié)構(gòu)及工藝參數(shù)，設(shè)計(jì)出的大尺寸臺(tái)面式InGaAs-InP異質(zhì)結(jié)光晶體管（HPT），光增益為2000，在窗口面積為80×80μ㎡下，-