SiGe異質(zhì)結(jié)晶體管的制備與模型驗(yàn)證.pdf

1、現(xiàn)代社會(huì)已經(jīng)進(jìn)入信息時(shí)代，電子信息系統(tǒng)日新月異、一日千里，功能越來(lái)越強(qiáng)，速度也越來(lái)越快。作為電子工業(yè)基礎(chǔ)的半導(dǎo)體工業(yè)為社會(huì)研發(fā)了各種各樣的半導(dǎo)體器件，為信息技術(shù)的進(jìn)步作出了卓越的貢獻(xiàn)，提供了強(qiáng)大的動(dòng)力。其中，SiGe HBT（異質(zhì)結(jié)雙極晶體管）具有很多優(yōu)越的性能，比如高性能、高集成度、高功率、高頻率、低噪聲、低成本等，而且與傳統(tǒng)Si生產(chǎn)工藝進(jìn)行兼容，容易與現(xiàn)代常用的CMOS工藝集成，所以現(xiàn)在SiGeHBT得到大萱應(yīng)用，同時(shí)成為半導(dǎo)體器件

2、領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)之一。
　　 本文首先闡述了SiGe器件的特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)，說(shuō)明SiGe器件的研究意義，隨后介紹了國(guó)內(nèi)外有關(guān)SiGe器件的發(fā)展歷史與近期有關(guān)的科研進(jìn)展，以及主要的問(wèn)題，并提出了自己的設(shè)計(jì)思想。對(duì)SiGe材料的性質(zhì)、HBT基本理作了說(shuō)明。在器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面，本文采用雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)、雙發(fā)射區(qū)和雙集電區(qū)，器件的基區(qū)采用雙隔離層。在器件制備工藝方面，利用分子束外延工藝技術(shù)制備器件，重點(diǎn)介紹了最新的分子束外延技術(shù)(MBE)、增強(qiáng)等離子