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文檔簡介
1、以硅材料為核心的傳統(tǒng)元器件日益趨近物理極限，越來越難以滿足電子系統(tǒng)小型化、高性能的需求。石墨烯作為一種新型電子材料，以其優(yōu)異的電性能、熱性能和應(yīng)力性能引起國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，有望成為下一代半導(dǎo)體器件的核心電子材料之一。以石墨烯為導(dǎo)電層的場效應(yīng)晶體管作為一種新型納米器件，能夠滿足高性能與小型化結(jié)構(gòu)的要求，成為目前電子器件的研究熱點(diǎn)。準(zhǔn)確建立器件模型，對于微波和射頻電路的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。本文針對石墨烯場效應(yīng)晶體管器件模型展開研究，建立了等
2、效電路模型并進(jìn)行參數(shù)提取。
介紹了石墨烯場效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)，分析了其工作原理和電學(xué)特性。根據(jù)石墨烯場效應(yīng)晶體管的雙極性輸運(yùn)的性質(zhì)，分析了其輸出特性、開關(guān)比、飽和性能。作為對器件工藝的反饋，建立了小信號等效電路模型，包括石墨烯場效應(yīng)晶體管的等效電路模型參數(shù)的初值測試提取方法，以及S參數(shù)優(yōu)化方法。在小信號模型的基礎(chǔ)上，論文對比了MOSFET、HEMT與石墨烯場效應(yīng)晶體管的異同，對Angelov非線性模型進(jìn)行了簡化與改進(jìn)，提出了
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