有機(jī)小分子場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究.pdf

1、自上世紀(jì)80年代以來，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為一種新型有機(jī)半導(dǎo)體器件，因具有可修飾性強(qiáng)、材料種類多、制備簡(jiǎn)單、成本低廉，且特別適合于制備大面積的電子器件這些無機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管所不具備的優(yōu)點(diǎn)，而越來越多地受到重視并取得了巨大的進(jìn)展。近年來，實(shí)現(xiàn)對(duì)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能的提高成為了一個(gè)重要的研究課題，這對(duì)于未來實(shí)現(xiàn)純有機(jī)電路具有極其重要的意義。
　　本論文針對(duì)提高小分子有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能展開了一系列研究。我們首先簡(jiǎn)單介紹了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究

2、背景、研究意義、應(yīng)用、發(fā)展過程中存在的問題、結(jié)構(gòu)、常用材料、基本工作原理以及性能指標(biāo)等方面內(nèi)容，接著介紹了器件的制備流程及性能表征方法。論文主要研究?jī)?nèi)容分為三個(gè)方面，包括：
　　1)采用MoO3修飾電極/有機(jī)半導(dǎo)體界面并利用摻雜層修飾有機(jī)半導(dǎo)體/絕緣層界面，探究各比例摻雜層對(duì)器件閾值電壓的調(diào)控作用。性能最優(yōu)的器件閾值電壓從標(biāo)準(zhǔn)器件的-10.2 V下降到-1 V，載流子遷移率達(dá)到9×10-4cm2/V?s。器件在130℃熱板上進(jìn)行退

3、火25min后，閾值電壓從標(biāo)準(zhǔn)器件的-10.2 V降到-2 V,器件的遷移率達(dá)到1.9×10-3 cm2/V?s。器件的壽命由一百小時(shí)提升到了兩百小時(shí)左右。
　　2)利用MoO3作為摻雜材料制備了基于并五苯的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。器件閾值電壓由對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)器件的-5.1 V降到-2 V，載流子遷移率達(dá)到1×10-2cm2/V?s。通過對(duì)并五苯蒸鍍速率的調(diào)整制備出的器件閾值電壓從標(biāo)準(zhǔn)器件的-5.1 V降到-1.7 V,器件的遷移率達(dá)到3×10