雜質(zhì)分凝場(chǎng)效應(yīng)晶體管的仿真研究.pdf

1、目錄MM1Abstract2第一章緒論1l.i弓丨言i1.2肖特基勢(shì)壘FET的歷史與發(fā)展31.3雜質(zhì)分凝肖特基FET概述51.3.1肖特基勢(shì)壘調(diào)制技術(shù)71.4論文主要工作7第二章Apsys器件仿真軟件介紹92.1Apsys介紹92.2Apsys的使用92.2.1Apsys的輸入輸出文件92.2.2使用Apsys進(jìn)行器件仿真102.3肖特基接觸仿真示例132.4本章小結(jié)15第三章雜質(zhì)分凝肖特基二極管的仿真

2、163.1肖特基勢(shì)壘高度與電流輸運(yùn)163.1.1肖特基勢(shì)壘高度163.1.2肖特基接觸的電流輸運(yùn)方式183.2Shannon接觸理論193.2.1金屬nn結(jié)構(gòu)193.2.2金屬pn結(jié)構(gòu)203.3Shannon接觸制造工藝和有效勢(shì)壘高度提取方法介紹213.3.1Shannon接角蟲(chóng)制造工藝223.3.2肖特基勢(shì)壘高度提取方法介紹223.4Shannon接觸仿真研究223.4.1金屬pn的勢(shì)壘調(diào)制特性23

3、3.4.2金屬nn結(jié)構(gòu)仿真研究25摘要隨著集成電路器件特征尺寸進(jìn)一步微縮，源漏結(jié)深越來(lái)越淺，傳統(tǒng)硅器件的pn結(jié)源漏將帶來(lái)較大的源漏接觸電阻和寄生導(dǎo)通電阻，而如何形成淺結(jié)也是一個(gè)巨大挑戰(zhàn)。肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SBFET)具有低源漏寄生電阻和易于實(shí)現(xiàn)淺結(jié)的優(yōu)勢(shì)，得到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。但是其源漏極與溝道區(qū)的肖特基勢(shì)壘受源漏極金屬材料和接觸界面特性的限制，導(dǎo)致接觸勢(shì)壘偏高，嚴(yán)重制約了器彳牛的開(kāi)態(tài)電流。于是人們?cè)谄骷圃熘幸肓穗s質(zhì)分凝技

4、術(shù)（DS)，使源漏兩極與襯底、溝道之間形成一重?fù)诫s薄層，以期降低肖特基勢(shì)壘，提升器件幵態(tài)電流。本論文分三個(gè)部分對(duì)DSSBFET的工作原理進(jìn)行了仿真研究，評(píng)估了其應(yīng)用前景。第一部分：介紹了Crosslight公司器件仿真軟件Apsys的使用方法和仿真中所需使用的隧穿機(jī)制模型，并以一個(gè)簡(jiǎn)單的肖特基接觸為例對(duì)仿真步驟進(jìn)行了介紹。第二部分：詳細(xì)研究了雜質(zhì)分凝肖特基接觸，即Sh_on接觸的特性。論文使用Apsys對(duì)Shannon接觸進(jìn)行仿真研究，

5、再利用仿真IV數(shù)據(jù)反向提取對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)的有效肖特基勢(shì)壘。結(jié)果表明通過(guò)適當(dāng)調(diào)整Shannon接觸中重?fù)诫s薄層的厚度(小于lnn)與摻雜濃度，即可得到不同有效勢(shì)壘高度的接觸。其中，對(duì)于金屬pn結(jié)構(gòu)的Shannon接觸，在金屬功函數(shù)為4.7eV襯底摻雜濃度為lel5cnf3的條件下，有效勢(shì)全的變化范圍在0.66eV0.93eV而金屬nn結(jié)構(gòu)的Shannon接觸在一定參數(shù)設(shè)置下可以成為勢(shì)壘極低的歐姆接觸。第三部分：首先建立了45mn和65nm工藝代

6、下的傳統(tǒng)NMOSFET模型，得到與文獻(xiàn)報(bào)道相近的仿真結(jié)果。然后，對(duì)DSSBFET與傳統(tǒng)FET進(jìn)行了對(duì)比研究，揭示了DSSBFET具有高開(kāi)態(tài)電流的可能原因：1)不存在傳統(tǒng)源漏擴(kuò)展區(qū)所帶來(lái)的寄生導(dǎo)通電阻；2)重?fù)诫s薄層強(qiáng)烈影響溝道區(qū)載流子分布，拉低器件的閾值電壓。研究也指出，重?fù)诫s薄層未耗盡的DSSBFET與傳統(tǒng)無(wú)源漏擴(kuò)展區(qū)的MOSFET在工作原理上無(wú)本質(zhì)區(qū)別；而重?fù)诫s薄層耗盡的器件，幵態(tài)電流將低于實(shí)驗(yàn)報(bào)道的數(shù)據(jù)，且同樣將具有嚴(yán)重的短溝道效