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1、南京郵電大學碩士學位論文有機場效應晶體管電路仿真模型的研究姓名:戴春雷申請學位級別:碩士專業(yè):光學指導教師:凌啟淡陳淑芬201003南京郵電大學碩士研究生學位論文ABSTRACTIIABSTRACTganicfieldeffecttransists(OFETs)arethetransistsusingganicsemiconductivematerialsasactivelayers.Incomparisonwithconvention
2、alinganictransistsOFETshavegainedconsiderableinterestduetotheirpotentialapplicationinlargearealowcostintegratedcircuits.Suchapplicationsincludedrivingdevicesfactivematrixflatpaneldisplaysradiofrequencyidentificationtagsl
3、owendmemycardsetc.Fieldeffecttransistsbasedonsuchmaterialspresentseveralappealingfeatures:theycanbevacuumdepositedonlargeareasatroomtemperaturestheymaybeprocessedbyspincoatinginthecaseofallpolymersystemstheyaresuitableft
4、heproductionofflexibleintegratedcircuits.Althoughalotofresearchgroupsfocusonganicmaterialsynthesisaselfsustainedelectricalmodelfsuchdevicesisfarfromperfectrightnow.Toundersttheelectronchemistryofganicmaterialsfindthesolu
5、tionofstabilitiesofganicmaterialsacompletemodelingresearchonDCACisneeded.InthispaperseveraltheymodelsincludingtheSmallPolaronModeltheMultipleTrappingReleaseModeltheVariableRangeHoppingTheyareintroduced.fromtheexistingnum
6、erousganictheiesofthinfilmtransistsonereasonabletheyischosenasthebasisofourresearchnamelytheVariableRangeHoppingThey.Thenamathematicalmodelfthedcdynamiccurrentofganicthinfilmtransistsisproposed.ThismodelisbasedontheVaria
7、bleRangeHoppingTransptThey.Acarriermayeitherhopoverasmalldistancewithahighactivationenergyhopoveralongdistancewithalowactivationenergy.themathematicalexpressionofthecurrentisfmulatedbymeansofthechannelaccumulationge.Itac
8、curatelyaccountsfbelowthresholdlinearsaturationoperatingconditionsviaasinglefmulationdoesnotrequiretheexplicitdefinitionofthethresholdsaturationvoltages.TheresultingmathematicalexpressionsaresimplesuitablefCADapplication
9、s.Thensomeparametersfromtheexperimentaldataaredistilled.ThroughrepetitioustriesagroupofparametersareobtainedwhichmakeaverygoodagreementbetweenexperimentaldatatheanalyticalmodelwithMATLABsoftware.Itverifiestheaccuracyofth
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