基于化學氣相沉積的石墨烯場效應晶體管研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、石墨烯是由 sp2雜化碳原子構成的一種具有蜂窩狀六方點陣結構的二維納米材料。自從2004年穩(wěn)定存在的石墨烯被人們通過微機械剝離法發(fā)現以來,石墨烯以其優(yōu)異的電學、熱學、力學特性吸引了科學家和工程師的注意。特別是在微電子領域,石墨烯有望在“后摩爾定律時代”成為硅的替代材料。本文通過化學氣相沉積方法,在銅箔上生長了大面積、高質量的石墨烯,并將其轉移到 Si-SiO2襯底上。利用多種手段對石墨烯進行了表征.并分別制備了背柵、頂柵結構的石墨烯場效

2、應晶體管,研究了其電學性能。
　　得出的主要結果如下:
　　開發(fā)了“電化學拋光”處理銅箔的專用儀器,能夠實現大面積晶疇的石墨烯生長,滿足了器件制備對高質量石墨烯的需求。
　　在工藝研究方面:通過參數優(yōu)化實驗,確定了氧等離子刻蝕,超聲輔助清洗,低溫原子城淀積生長柵介質等工藝的參數。
　　在器件制備方面:整合各個單步工藝,建立了石墨烯場效應器件背柵結構和頂柵結構的整套工藝流程,并測得具有典型石墨烯特征的器件電學特性。

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