隔膜燒堿蒸發(fā)裝置優(yōu)化研究.pdf

1、隔膜電解法是我國主要燒堿制備方法之一，蒸發(fā)結晶系統(tǒng)是以去除電解液中氯化鈉等雜質(zhì)和提高燒堿濃度為主要目的的制燒堿關鍵工序。針對齊魯石化公司氯堿廠燒堿濃度偏低的問題，論文對該廠四效逆流強制內(nèi)循環(huán)蒸發(fā)結晶系統(tǒng)各設備中結晶顆粒分布和晶體質(zhì)量的變化進行了研究，分析了影響燒堿產(chǎn)品質(zhì)量的主要因素，依據(jù)工業(yè)結晶有關理論，提出了改進方案，為蒸發(fā)結晶系統(tǒng)的優(yōu)化和產(chǎn)品質(zhì)量的提高提供了基礎。 論文以實測工藝數(shù)據(jù)為依據(jù)，詳細分析了蒸發(fā)結晶系統(tǒng)各結晶器中物

2、料所帶的結晶質(zhì)量和晶體粒度分布的變化。結果表明系統(tǒng)選擇的幾個分離部位是很合理的，結晶的主要發(fā)生區(qū)域為蒸發(fā)結晶工序，冷卻結晶工序中結晶量較少。 蒸發(fā)結晶工序中四效結晶質(zhì)量最大，晶體粒度基本呈正態(tài)分布，對整個系統(tǒng)的結晶質(zhì)量基本無影響；三效和二效中不同粒度的晶體質(zhì)量都略有變化，對結晶質(zhì)量的影響也不大；在一效中不同粒度結晶都發(fā)生了質(zhì)量增加。一閃中晶體生長效果較好，二閃中大粒度晶體發(fā)生了很嚴重的破碎，破碎率分別達到10％以上，其改進方案有

3、加大循環(huán)量和蒸發(fā)量。DV309中晶體破碎特別嚴重，分離效果較差，對后續(xù)工段影響較大，其改進方案為：添加絮凝劑，使細晶凝聚便于分離出去；改進其工作環(huán)境，使晶體破碎不至于太劇烈。 在八臺冷卻器中，前三臺冷卻器DE401～DE403完成大部分的冷卻負荷，冷卻工段76.6％的氯化鈉結晶量都在這三臺冷卻器中完成，在DE404到DE408中有明顯的大粒度晶體的嚴重破碎。針對八臺冷卻器，根據(jù)先緩后急冷卻方案，提出了兩種修改工藝流程：一是在盡量