S波段MCM四位數(shù)字移相器設(shè)計(jì)及工藝技術(shù)研究.pdf

1、相控陣?yán)走_(dá)在軍事，航空航天，氣象探測，通信等領(lǐng)域應(yīng)用很廣泛。相控陣?yán)走_(dá)中的移相器用于控制天線陣中各路信號的相位，可使輻射波束進(jìn)行快速掃描，對多目標(biāo)進(jìn)行搜索，是雷達(dá)的心臟。本論文主要是研究S波段四位數(shù)字移相器設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝。
　　移相器是相控陣?yán)走_(dá)T/R組件的關(guān)鍵部件，其精度、尺寸和重量都受到嚴(yán)格的控制。制作出體積小、重量輕、成本低、性能良好的T/R組件是發(fā)展的需要。隨著相控陣?yán)走_(dá)在星載和機(jī)載系統(tǒng)中得到日益廣泛的應(yīng)用，這種需要顯得尤

2、為必要和迫切。本文采用多芯片模塊電路（MCM）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了S波段四位數(shù)字移相器，在技術(shù)指標(biāo)與傳統(tǒng)混合集成電路方式相當(dāng)?shù)那闆r下，其體積減小2/3，重量減小1/2。
　　論文從數(shù)字移相器基本理論展開，綜合討論了各種類型的微帶PIN管數(shù)字移相器，然后結(jié)合工藝，針對開關(guān)線型PIN數(shù)字移相器進(jìn)行研究。分析了引起移相器損耗的各種原因，通過仿真軟件進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化，并建立了PIN二極管芯片、電感、電容、金絲、金帶等材料和元器件考慮封裝的模型。

3、>　　在工藝選型上先是利用成熟工藝實(shí)現(xiàn)，即MCM_D陶瓷基片+多層聚酰亞胺薄膜方案。此方案從薄膜微帶傳輸線研究開始，到螺旋電感的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、仿真，再到MCM_D工藝可靠性研究，至移相器部件的測試數(shù)據(jù)分析比較，產(chǎn)生結(jié)論，形成了一個(gè)完整的設(shè)計(jì)過程。
　　然后根據(jù)上述設(shè)計(jì)過程，對MCM-C低溫共燒陶瓷工藝方案展開研究。本課題研究中選用LTCC介質(zhì)材料為Ferro一A6S,通過大量實(shí)驗(yàn)得到了LTCC工藝的S波段四位數(shù)字移相器組件，指標(biāo)達(dá)到要