X波段GaN基五位數(shù)字移相器MMIC的研究.pdf

1、數(shù)字式移相器在相控陣?yán)走_(dá)收/發(fā)組件中扮演著重要角色。隨著X波段相控陣?yán)走_(dá)在軍事上的應(yīng)用需求越來(lái)越明確,收/發(fā)組件中各部件急需在電路設(shè)計(jì)形式和生產(chǎn)制造工藝上做進(jìn)一步優(yōu)化,以達(dá)到改善性能、提高集成度以及降低成本的目的。本文采用GaN HEMT工藝研究并設(shè)計(jì)了一款X波段五位數(shù)字移相器微波單片集成電路(MMIC),取得主要研究成果如下:
　　利用GaN HEMT小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試結(jié)果,解決了在移相器電路設(shè)計(jì)過(guò)程中,晶體管無(wú)成熟開(kāi)關(guān)模型的問(wèn)題

2、,為電路設(shè)計(jì)提供了技術(shù)支持;
　　采用為晶體管并聯(lián)諧振電感和優(yōu)化輸入匹配的方法,設(shè)計(jì)了一款適合在移相器電路中使用的開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu),解決了GaN HEMT單管插入損耗過(guò)大的問(wèn)題;
　　采用加載線(xiàn)型和高通/低通濾波器型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了五位數(shù)字移相器電路。設(shè)計(jì)結(jié)果表明,在9.2~10.2Ghz頻帶范圍內(nèi),該移相器的移相精度小于6.8度,均方根移相誤差小于3.5度,插入損耗典型值為-17.4dB,偏移量小于2.4dB,輸入輸出回波損耗小于-