PDP行驅(qū)動(dòng)芯片用200V PLDMOS設(shè)計(jì).pdf

1、等離子平板顯示器PDP作為新一代顯示器具有廣闊的應(yīng)用前景,其行驅(qū)動(dòng)芯片由于耐壓要求較高(200V)、頻率較快(1MHz),成為PDP的幾個(gè)核心技術(shù)之一。而行驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)的難點(diǎn)是功率器件的設(shè)計(jì)。高耐壓功率器件工藝復(fù)雜,很難與標(biāo)準(zhǔn)低壓工藝兼容,這也是其成本居高不下的一個(gè)重要原因。因此設(shè)計(jì)出功能滿足要求、與標(biāo)準(zhǔn)低壓CMOS工藝兼容、面積節(jié)省的功率器件具有重要意義。 LDMOS以其耐壓高、速度快等優(yōu)點(diǎn)而被大多PDP行驅(qū)動(dòng)芯片采用。本文設(shè)

2、計(jì)了一個(gè)200V PDP行驅(qū)動(dòng)芯片專用的高低壓兼容RESURF PLDMOS。首先緒論中介紹了RESURF PLDMOS產(chǎn)生的歷史過(guò)程及原理；然后在第一章中分別對(duì)RESURF PLDMOS的場(chǎng)板、漂移區(qū)、溝道等部分的參數(shù)進(jìn)行了數(shù)學(xué)建模,計(jì)算得到各個(gè)參數(shù)的近似值：在第二章中通過(guò)Tsuprem-4軟件模擬器件工藝過(guò)程、Medici軟件模擬器件特性來(lái)對(duì)第一章中得到的器件各個(gè)參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化：第三章中分析了實(shí)際流水中經(jīng)常出現(xiàn)的各種失效機(jī)理,如Ki

3、rk效應(yīng)、寄生三極管效應(yīng)、熱電耦合效應(yīng)、熱載流子效應(yīng)等等,并針對(duì)本文設(shè)計(jì)的器件結(jié)構(gòu)及工藝提出了改善這些效應(yīng)的措施；最后結(jié)合第二章的參數(shù)、結(jié)構(gòu)以及第三章中各種可能的失效機(jī)理在第四章中設(shè)計(jì)了RESURF PLDMOS與標(biāo)準(zhǔn)CMOS兼容的工藝及版圖,分析了流水的實(shí)際結(jié)果,并介紹了建模提取參數(shù)、電路設(shè)計(jì)的基本知識(shí)。 本文設(shè)計(jì)的RESURF PLDMOS采用上海Belling的1.2μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝進(jìn)行了四次流水,四次流水過(guò)程中對(duì)器件

4、進(jìn)行了大量的改進(jìn),使得器件不但性能滿足要求,而且考慮了穩(wěn)定性、可靠性等方面的要求。采用Keithly測(cè)試儀測(cè)得器件耐壓大于200V,開(kāi)啟電壓30V,將器件應(yīng)用于PDP行驅(qū)動(dòng)芯片,負(fù)載50pF時(shí),上升下降時(shí)間分別是45ns和50ns,完全滿足目前市場(chǎng)上大多數(shù)PDP屏的驅(qū)動(dòng)要求。 目前國(guó)外推出的PDP行驅(qū)動(dòng)芯片用的功率器件大多基于SOI材料,采用介質(zhì)與低壓部分隔離,成本相對(duì)較高；本文設(shè)計(jì)的RESURF PLDMOS基于外延材料,采用